[发明专利]一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法有效
申请号: | 201510408705.1 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN104966682B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 曾思为;吴丽翔;邱克强;付绍军 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人: | 郑立明,郑哲 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子束 刻蚀 加工 参数 确定 方法 | ||
技术领域
本发明涉及离子束刻蚀加工技术领域,尤其涉及一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法。
背景技术
离子束刻蚀是利用一定能量的离子对刻蚀样品表面进行轰击,使刻蚀材料原子发射溅射,达到刻蚀目的。具有方向性好、分辨率高和不受刻蚀材料限制等特点广泛的应用于微细加工领域。
传统离子束加工方法中通过驻留时间算法求解驻留时间分布,再将时间分布转换为各个驻留点处的速度分布。计算驻留时间是一个反卷积的过程,这类问题是病态的,不一定存在有效解,计算有难度。再者,从驻留时间到驻留速度的转换过程也有问题,速度极限受限于机械动力装置的约束。这种方法确定加工参数有一定的局限性,也存在收敛问题。
鉴于此,有必要提供一种高效且可获得最优解的方案来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法,可以快速获得加工面形的加工参数。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法,包括:
预设工件刻蚀的相关参数,其包括:工件一维刻蚀深度曲线与离子束刻蚀速率;
将工件一维刻蚀深度曲线进行曲线变化,获得相应的驻留时间曲线;
根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率,并根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换;
对坐标变换后的驻留时间曲线进行分割,获得快门组件中可移动快门相对于快门零位的距离与时间曲线。
所述根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率包括:
计算驻留时间曲线中每个凹槽对应的斜率,取最小的斜率作为快门组件或工件的匀速移动速率。
所述根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换包括:
将驻留时间曲线投影到以匀速移动速率为斜率且过原点的直线上,完成驻留时间曲线的坐标变换。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,通过计算出快门组件或加工工件的匀速运动,并以此对驻留时间曲线进行投影与分割,最终获得加工面形的加工参数;相对于传统方法而言,可以获得最优解并提高了效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
图1为本发明实施例提供的一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的离子束刻蚀过程的示意图;
图3为本发明实施例提供的快门组件产生的离子束束斑刻蚀加工工件的示意图;
图4为本发明实施例提供的一维刻蚀深度曲线的示意图;
图5为本发明实施例提供的驻留时间曲线的示意图;
图6为本发明实施例提供的坐标变换后的驻留时间曲线示意图;
图7为本发明实施例提供的三个凹槽中的两个斜率曲线的示意图;
图8a为本发明实施例提供的可移动快门相对于快门零位的距离与时间关系的示意图;
图8b为本发明实施例提供的刻蚀位置及时间关系示意图;
图9为本发明实施例提供的电机转动角度和时间的曲线示意图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
实施例
图1为本发明实施例提供的一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法的流程图。如图1所示其主要包括如下步骤:
步骤11、预设工件刻蚀的相关参数,其包括:工件一维刻蚀深度曲线与离子束刻蚀速率。
步骤12、将工件一维刻蚀深度曲线进行曲线变化,获得相应的驻留时间曲线。
步骤13、根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率,并根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换。
本步骤具体包括:计算驻留时间曲线中每个凹槽对应的斜率,取最小的斜率作为快门组件或工件的匀速移动速率,再将驻留时间曲线投影到以匀速移动速率为斜率且过原点的直线上,完成驻留时间曲线的坐标变换。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造