[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

处理容器，所述处理容器的顶端是开放的；

基板支撑单元，所述基板支撑单元放置于所述处理容器中以支撑基板；

处理液供应单元，所述处理液供应单元将处理液供应至放置于所述基板支撑单元上的基板；

加热单元，所述加热单元放置于所述基板支撑单元中以加热基板，

其中，所述加热单元包括：

加热元件；和

反射元件，所述反射元件将来自所述加热元件的热量向上反射。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热元件包括多个灯。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板支撑单元包括：

卡盘载台，基板放置于所述卡盘载台上，并且所述卡盘载台是可旋转的；和

旋转单元，所述旋转单元具有中空形状并与所述卡盘载台相连以使所述卡盘载台旋转；

其中，所述加热元件位于所述卡盘载台中，并且包括多个灯，所述多个灯同心布置以形成多个环形形状，各个环形形状到所述卡盘载台中心的距离彼此不同。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件包括设置在相邻的灯之间的主反射板。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件进一步包括：

位于所述卡盘载台与所述多个灯之间的内反射板。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件进一步包括：

与所述内反射板间隔开的外反射板，其中，所述多个灯居于所述内反射板与所述外反射板之间。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述外反射板的高度低于所述主反射板和所述内反射板的高度。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件进一步包括：

位于所述多个灯下方的下反射板。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板从所述下反射板向上突出。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板包括：第一侧壁，

其中，所述第一侧壁是倾斜的，并且越朝向其顶端越远离与其相邻的灯。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板进一步包括：第二侧壁，

其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁以穿过所述主反射板中心的虚线为中心对称。

12.根据权利要求4-9任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板的宽度朝着其顶端逐渐缩小。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板垂直于所述下反射板。

14.根据权利要求1-11任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件的表面由金属材料形成。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件的表面由金、银或铝中的任一种形成。