[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本文所述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种在进行处理时同时加热基板的基板处理装置。

背景技术

通常，在制作平板显示器或半导体装置时，可以进行诸如光刻胶涂覆工艺、显影工艺、刻蚀工艺以及除尘工艺等各种工艺以处理玻璃基板或晶片。

在每一工艺中，可以进行湿法清洁工艺以去除附着在基板上的各种污染物，然后可以进行干燥工艺以干燥残留在基板表面的化学溶液或纯水(例如去离子水)。

近年来，可以采用刻蚀工艺通过在高温下使用化学溶液来选择性去除氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，所述化学溶液例如为硫酸或磷酸。

在使用高温化学溶液的基板处理装置中，可以采用基板加热装置以提高刻蚀速率。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种基板处理装置，能够在处理基板过程中均匀加热基板。本发明构思的实施例提供了一种基板处理装置。

一方面，本发明构思的实施例旨在提供一种基板处理装置，所述装置包括：处理容器，所述处理容器的顶端是开放的；基板支撑单元，所述基板支撑单元放置于所述处理容器中以支撑基板；处理液供应单元，所述处理液供应单元将处理液供应至放置于基板支撑单元上的基板；加热单元，所述加热单元放置于所述基板支撑单元中以加热基板；所述加热单元包括加热元件和反射元件，所述反射元件将来自所述加热元件的热量向上反射。

所述加热元件可以包括多个灯。

所述基板支撑单元可以包括：卡盘载台(stage)，基板放置于所述卡盘载台上，并且所述卡盘载台是可旋转的；和旋转单元，所述旋转单元具有中空形状并与所述卡盘载台相连以使所述卡盘载台旋转；其中，所述加热元件位于所述卡盘载台中，并且包括多个灯，多个灯同心布置以形成多个环形形状，各个环形形状到所述卡盘载台中心的距离彼此不同。

所述反射元件可以包括设置在相邻的灯之间的主反射板。

所述反射元件可以进一步包括位于所述卡盘载台与所述多个灯之间的内反射板。

所述反射元件可以进一步包括与所述内反射板间隔开的外反射板，其中，所述多个灯居于所述内反射板与所述外反射板之间。

所述外反射板的高度低于所述主反射板和所述内反射板的高度。

所述反射元件可以进一步包括位于所述多个灯下方的下反射板。

所述主反射板从所述下反射板向上突出。

所述主反射板可以包括第一侧壁。所述第一侧壁是倾斜的，并且越朝向其顶端越远离与其相邻的灯。

所述主反射板可以进一步包括第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁以穿过所述主反射板中心的虚线为中心对称。

所述主反射板的宽度朝着其顶端逐渐缩小。

所述主反射板垂直于所述下反射板。

所述反射元件的表面由金属材料形成。

所述反射元件的表面由金、银或铝中的任一种形成。

附图说明

通过下述参照下列附图进行的描述，上述内容及其它目标和特征将变得显而易见，其中，在所有的各个附图中，相同的附图标记表示相同的部件，除非明确表明并非如此。其中，

图1为示出了提供有根据本发明构思的实施例所述的基板处理装置的基板处理设备的俯视图；

图2为图1的基板处理装置的俯视图；

图3为图1的基板处理装置的剖视图；

图4为根据本发明构思的示例性实施例所述的、图2的基板支撑单元和加热单元的剖视图；

图5为图4的加热单元的局部放大图。

具体实施方式

将参照附图详细描述实施例。然而，本发明构思可以以各种不同形式体现，而不应当解释为仅限定于所示实施例。更确切些，对于本领域技术人员而言，这些实施例是作为示例来提供，这样，本公开将彻底、完整并充分地表达本发明构思的理念。相应地，对于本发明构思的一些实施例，并没有描述相关的已知工艺、构件和技术。除非另有说明，否则在全部附图和本说明书中，相同的附图标记表示相同的元件，因此对于相同的附图标记将不会重复描述。在附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸及其相对尺寸可以被放大。