[发明专利]一种高压过零检测电路在审
申请号: | 201510410421.6 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN105116209A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 方健;周义明;李桂英;梁湛;沈逸骅 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01R19/175 | 分类号: | G01R19/175 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 检测 电路 | ||
1.一种高压过零检测电路,包括比较器电路、逻辑输出电路和加速电路,所述比较器电路接外部交流输入信号,其输出端接逻辑输出电路的输入端;所述逻辑输出电路的输出信号通过加速电路反馈回比较器电路;其中,
所述比较器电路由第一二极管D1、第二二极管D2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6构成;其中,第一二极管D1的正极接第一路外部交流输入信号,其负极接第一NMOS管N1的漏极;第一NMOS管N1的栅极接使能信号,其通过第五电阻R5后接地;第二二极管D2的正极接第二路外部交流输入信号,其负极接第二NMOS管N2的漏极;第二NMOS管N2的栅极接使能信号,其源极通过第六电阻R6后接地;第一PMOS管P1的源极通过第一电阻R1后接第二NMOS管N2的源极,其栅极接第一NMOS管N1的源极,其漏极通过第三电阻R3后接第二NMOS管N3的漏极;第二PMOS管P2的源极通过第二电阻R2后接第一NMOS管N1的源极,其栅极接第二NMOS管N2的源极,其漏极通过第四电阻R4后接第四NMOS管N4的漏极;第三NMOS管N3的源极接地;第四NMOS管N4的源极接地;
所述逻辑输出电路由第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一反相器IV1、第二反相器IV2、第三反相器IV3、第四反相器IV4、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和第十电阻R10构成;其中,第一三极管Q1的基极接第三电阻R3与第三NMOS管N3的连接点,其集电极通过第七电阻R7接电源VDD,其发射极接地,其基极通过第九电阻R9后与其发射极连接;第二反相器IV2的输入端接第一三极管Q1与第七电阻R7的连接点,其输出端接第一反相器IV1的输入端;第一反相器IV1的输出端为高压过零检测电路的第一路输出端;第二三极管Q2的基极接第四电阻R4与第四NMOS管N4的漏极的连接点,其集电极通过第八电阻R8后接电源VDD,其发射极接地,其基极通过第十电阻R10后接其发射极;第三反相器IV3的输入端接第二三极管Q2的集电极与第八电阻R8的连接点,其输出端接第四反相器IV4的输入端;第四反相器IV4的输出端为高压过零检测电路的第二路输出端;
所述加速电路由第五反相器IV5、第六反相器IV6、第七反相器IV7、第八反相器IV8构成;其中,第五反相器IV5的输入端接第二反相器IV2的输入端,其输出端接第六反相器IV6的输入端;第六反相器IV6的输出端接第三NMOS管N3的栅极;第七反相器IV7的输入端接第三反相器IV3的输入端,其输出端接第八反相器IV8的输入端;第八反相器IV8的输出端接第四NMOS管N4的栅极。
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