[发明专利]TFT基板结构的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤；

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；在所述缓冲层(2)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极(3)；

步骤2、在所述缓冲层(2)、及栅极(3)上沉积栅极绝缘层(4)；在所述栅极绝缘层(4)上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层(5)；

步骤3、在所述栅极绝缘层(4)、及岛状半导体层(5)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极(6)、及漏极(7)；

步骤4、在所述栅极绝缘层(4)、岛状半导体层(5)、源极(6)、及漏极(7)上沉积第一钝化层(8)；

步骤5、在所述第一钝化层(8)上形成平坦层(9)；

步骤6、在所述平坦层(9)上沉积第一透明导电膜，并对所述第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极(10)；

步骤7、在所述第一钝化层(8)、及平坦层(9)上对应所述漏极(7)的上方依次形成第一过孔(91)、及第二过孔(92)，所述第一过孔(91)、及第二过孔(92)暴露出部分漏极(7)；

步骤8、在所述第一像素电极(10)及平坦层(9)上沉积第二钝化层(11)，并对所述第二钝化层(11)进行图案化处理，在所述第二钝化层(11)上形成一对应于所述第一过孔(91)与第二过孔(92)的第三过孔(93)；

步骤9、在所述第二钝化层(11)上沉积第二透明导电膜，并对所述第二透明导电膜进行图案化处理，形成第二像素电极(12)，所述第二像素电极(12)经由第一、第二、第三过孔(91、92、93)与漏极(7)相连。

2.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层(5)的材料为IGZO。

3.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤4采用化学气相沉积法沉积所述第一钝化层(8)。

4.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用涂布制程形成所述平坦层(9)；所述平坦层(9)的材料为PFA。

5.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤6采用物理气相沉积法沉积所述第一透明导电膜；采用湿法蚀刻制程形成所述第一像素电极(10)。

6.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤7先采用黄光制程在所述平坦层(9)上对应所述漏极(7)上方曝光出第一过孔(91)，然后以所述平坦层(9)为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在所述第一钝化层(8)上对应所述第一过孔(91)蚀刻出第二过孔(92)。

7.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述栅极(3)的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。

8.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述源极(6)与漏极(7)的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。

9.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(4)、第一钝化层(8)、及第二钝化层(11)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的堆栈组合。

10.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极(10)、及第二像素电极(12)的材料均为ITO。