[发明专利]TFT基板结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组。通常液晶面板由一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一填充于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成。CF基板和TFT基板的相对内侧设有透明电极。液晶显示器通过电场对液晶分子的取向进行控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，达到显示的目的。

边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)技术是近年来出现的改善LCD画质的技术之一，能同时实现高穿透性和大视角的要求。图1所示为一种现有FFS型液晶显示面板的TFT基板的剖面结构示意图，其包括基板100、设于所述基板100上的缓冲层200、设于所述缓冲层200上的栅极300、设于所述缓冲层200上覆盖所述栅极300的栅极绝缘层400、设于所述栅极绝缘层400上的岛状导体层500、设于所述栅极绝缘层400上分别与所述岛状导体层500的两侧相接触的源极600与漏极700、设于所述栅极绝缘层400、岛状半导体层500、源极600与漏极700上的第一钝化层800、设于所述第一钝化层800上的平坦层900、设于所述平坦层900上的第一像素电极1000、设于所述平坦层900与第一像素电极1000上的第二钝化层1100、及设于所述第二钝化层1100上的第二像素电极1200；所述第二钝化层1100、平坦层900、及第一钝化层800上对应所述漏极700的上方形成有过孔1300，所述第二像素电极1200经由所述过孔1300与所述漏极700相接触。

请参阅图2至图9，现有FFS型液晶显示面板的TFT基板结构的制作方法包括如下步骤；

步骤1、如图2所示，提供基板100，在所述基板100上沉积缓冲层200；在所述缓冲层200上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极300；

步骤2、如图3所示，在所述缓冲层200、及栅极300上沉积栅极绝缘层400；在所述栅极绝缘层400上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层500；

步骤3、如图4所示，在所述栅极绝缘层400、及岛状半导体层500上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极600、及漏极700；

步骤4、如图5所示，在所述栅极绝缘层400、岛状半导体层500、源极600、及漏极700上沉积第一钝化层800，并在所述第一钝化层800上对应所述漏极700上方形成第一过孔810；

步骤5、如图6所示，在所述第一钝化层800上形成平坦层900，并在所述平坦层900上对应所述第一过孔810上方形成第二过孔910；

步骤6、如图7所示，在所述平坦层900上沉积第一透明导电膜，并在所述第一透明导电膜上涂布光阻层1101；

由于第一、第二过孔810、910较深，因此光阻层1101容易在所述第一、第二过孔810、910内堆积；

步骤7、如图8所示，对所述光阻层1101进行曝光、显影；

具体的，在曝光、显影时，堆积在所述第一、第二过孔810、910内的光阻层1101容易显影不完全，造成光阻层1101在第一、第二过孔810、910处残留；

步骤8、如图9所示，以所述光阻层1101为遮蔽层，对没有被所述光阻层1101遮挡的第一透明导电膜进行蚀刻处理，得到第一像素电极1000；

由于位于所述第一、第二过孔810、910内的第一透明导电膜上覆盖有残留光阻，因此在蚀刻过程中无法被完全蚀刻掉，从而造成所述第一透明导电膜在第一、第二过孔810、910处残留，因而会影响后续制程，对TFT基板的品质造成不良影响。

因此，基于现有制作方法中存在的问题和缺陷，有必要提供一种改进的TFT基板结构的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，能有效防止第一透明导电膜在过孔处的残留，提高TFT基板的生产良率。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤；