[发明专利]一种刻蚀装置及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510413179.8 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN104992914B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 江亮亮;尹傛俊 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 方法 | ||
1.一种刻蚀装置，包括：刻蚀液回收槽，在所述刻蚀液回收槽上方与所述刻蚀液回收槽呈预设角度倾斜设置的至少两个传送滚轮，以及位于任意一个所述传送滚轮上方且与所述传送滚轮平行设置的至少一排喷嘴，其特征在于，还包括：
与刻蚀液回收槽的槽底平行设置的一微波源，所述微波源在所述槽底所在的水平面上的正投影覆盖所有喷嘴在所述槽底所在的水平面上的正投影。
2.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述微波源位于所述传送滚轮的下方。
3.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述微波源位于所述传送滚轮的上方。
4.如权利要求2或3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述微波源与所述传送滚轮的中心相距10mm～20mm。
5.如权利要求1-3任一所述的刻蚀装置，其特征在于，所述微波源发射微波的频率取值范围为：10MHz～10000MHz。
6.一种利用权利要求1-5所述的刻蚀装置进行的刻蚀方法，其特征在于，
传送滚轮将待刻蚀的基板推送前进，以使得位于传送滚轮上方与所述传送滚轮平行设置的至少一排喷嘴喷射刻蚀液到所述基板上；
微波源发射微波至所述基板上，以使得喷射到所述基板上的刻蚀液与基板表面加速反应。
7.如权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述微波源发射微波的频率取值范围为：10MHz～10000MHz。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510413179.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种扩散进出炉自动推拉舟系统装置
- 下一篇：一种金属突刺混合键合方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
