[发明专利]一种刻蚀装置及刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，尤其涉及一种刻蚀装置及刻蚀方法。

背景技术

在当前液晶面板中，阵列基板上形成有数据线和栅线，以及由数据线和栅线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管TFT和像素电极Pixel Electrode。其中，作为金属层的栅线Gate和源、漏极S/D(一般主要组分为Al和Cu)通过溅射涂布设备依次进行：沉积、涂布、曝光、显影、湿刻、剥离等工序，从而在基板形成图案化的金属膜层，实现TFT的电极和控制功能。

在上述湿刻工艺中，为了改善刻蚀液堆积等不良，基板一般采取倾斜面式传输，而非平面式。如图1所示，刻蚀液回收槽11仍水平放置，用于承载基板A的至少两个传送滚轮12均呈预设角度倾斜，从而保证基板呈倾斜角度传输前进，相应地，在传送滚轮12上方设置有与传送滚轮同样倾斜角度的一排喷嘴13，其中，一排喷嘴中包含若干个独立喷嘴，该喷嘴13用于喷射刻蚀液到基板A上，通常，喷嘴13都是与传送滚轮12平行设计，从而，能够保证基板传输前进时，整个基板表面都可以被喷射刻蚀液。但是，上述湿刻装置仍存在不足：因为，考虑到喷射到基板表面之后，刻蚀液会与基板表面相应膜层发生化学反应，一般是生成水和其他气体等，这就导致斜面上方的刻蚀液浓度比较高，刻蚀速度较快；斜面下方的刻蚀液浓度较低(反应生成的水对刻蚀液的稀释)，刻蚀速度较慢。尤其在反应一段时间后，刻蚀液浓度差异的累计效应比较明显，就会造成同一个基板斜面上方与斜面下方的刻蚀程度不一致，影响后续基板的使用。

为了改善上述不良，一般会通过更换刻蚀液的方式控制刻蚀液的浓度维持较高水平；但是，上述方法的补救成本较高，而且刻蚀液本身的刻蚀能力并未完全使用，造成一定的浪费。

发明内容

本发明实施例提供一种刻蚀装置及刻蚀方法，用以解决现有技术中存在的由于刻蚀装置的倾斜式设计，而导致刻蚀反应过程中整个面板的刻蚀速度不均一的问题。

本发明实施例采用以下技术方案：

一种刻蚀装置，包括：刻蚀液回收槽，在所述刻蚀液回收槽上方与所述刻蚀液回收槽呈预设角度倾斜设置的至少两个传送滚轮，以及位于任意一个所述传送滚轮上方且与所述传送滚轮平行设置的至少一排喷嘴，还包括：

与刻蚀液回收槽的槽底平行设置的一微波源，所述微波源在所述槽底所在的水平面上的正投影覆盖所有喷嘴在所述槽底所在的水平面上的正投影。

优选地，所述微波源位于所述传送滚轮的下方。

优选地，所述微波源位于所述传送滚轮的上方。

优选地，所述微波源与所述传送滚轮的中心相距10mm～20mm。

优选地，所述微波源发射微波的频率取值范围为：10MHz～10000MHz。

一种利用所述的刻蚀装置进行的刻蚀方法，包括：传送滚轮将待刻蚀的基板推送前进，以使得位于传送滚轮上方与所述传送滚轮平行设置的至少一排喷嘴喷射刻蚀液到所述基板上；

微波源发射微波至所述基板上，以使得喷射到所述基板上的刻蚀液与基板表面加速反应。

优选地，所述微波源发射微波的频率取值范围为：10MHz～10000MHz。

在本发明实施例中，通过对现有的刻蚀装置进行改进，增设一微波源，使得该微波源在槽底所在水平面上的正投影覆盖所有喷嘴在槽底所在水平面上的正投影，从而，待刻蚀的基板上的刻蚀液中的水分子可以吸收微波能量，由于基板上刻蚀液的浓度差，基板倾斜面下方的刻蚀液含水量比倾斜面上方含水量多，使得倾斜面下方的刻蚀液的搅拌速度加快，进而弥补由于基板刻蚀液浓度不一致而导致的刻蚀反应程度不均一的问题，保证基板刻蚀效果均一。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的倾斜式刻蚀装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种刻蚀装置的结构示意图；

图3为本发明实施例中所提供的刻蚀装置中微波源的另一种设置方式；

图4为利用本发明所提供的刻蚀装置进行刻蚀过程中刻蚀液浓度x1、水分子密度x2以及刻蚀反应速度x3所反映的简单直方图。

具体实施方式