[发明专利]硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件有效
| 申请号： | 201510413952.0 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104950392B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 余宇;秦亚光;张新亮 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 集成 工艺 偏振 旋转 器件 | ||
【权利要求书】：
1.硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件，包括三个部分：入射波导部分、对称性打破部分以及出射波导部分，其特征在于，所述对称性打破部分的包层被部分刻蚀；
所述部分刻蚀为平行于波导上表面的长方体形凹槽，所述长方体形凹槽位于所述对称性打破部分的波导侧上方的包层内，所述长方体形凹槽的长度满足包层刻蚀后的两本征模式之间具有180度的位相差，所述长方体形凹槽的宽度大于等于0.9微米，长方体凹槽从包层的顶部开始刻蚀，长方体形凹槽的最底面距离波导上表面的垂直间距，等于所述长方体形凹槽与波导之间的水平间距，所述垂直间距、水平间距的值均为0～0.2微米。
2.根据权利要求1所述的硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件，其特征在于，所述长方体形凹槽宽度为1～2微米。
3.根据权利要求1所述的硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件，其特征在于，所述长方体凹槽的长度等于所述对称性打破部分的波导的长度。
4.根据权利要求1所述的硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件，其特征在于，所述垂直间距、水平间距的值均为0.1微米。
5.根据权利要求1所述的硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件，其特征在于，所述入射波导、出射波导均采用倒锥结构。
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