[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

将衬底搬入处理室内的工序；

在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的工序；

将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序；

将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序；

将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给包含改性气体和清洁气体的反应性气体的工序，

其中，供给所述反应性气体的工序包含下述工序：

向所述处理室内供给所述改性气体而不供给所述清洁气体，由此对在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物进行改性的工序；和

向所述处理室内供给所述清洁气体而不供给所述改性气体，由此将在对所述堆积物进行改性的工序中被改性了的、附着在所述处理室内的所述堆积物除去的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离与除去所述堆积物的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离不同。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离比除去所述堆积物的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离短。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下将所述支承台保持于所述第二位置。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下，将所述支承台短暂配置在比所述第二位置更靠近所述处理室内的所述顶板部的第三位置，然后将其配置在所述第二位置。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下使所述支承台在所述第二位置和与所述第二位置不同的第四位置之间移动。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给热导率比所述反应性气体高的气体。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给选自氢气及氦气中的至少1种。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体从设置于所述顶板部的气体供给部供给至所述处理室内。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体从设置于所述顶板部的簇射头供给至所述处理室内。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体从设置于所述处理室的侧部的气体供给部供给至所述处理室内。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含具有第一元素和碳形成的化学键的原料气体。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含原料气体，所述原料气体包含第一元素、碳及卤族元素，且具有第一元素和碳形成的化学键。

14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含：具有第一元素和碳形成的化学键的原料气体、包含第二元素的反应气体。