[发明专利]一种薄膜图案的形成方法

权利要求书

1.一种薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在薄膜上形成掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括：半保留部分和保留部分，所述保留部分对应于待形成薄膜图案所在的区域，所述半保留部分紧邻所述保留部分；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述薄膜中未被所述掩膜图案覆盖的部分；

采用干法刻蚀工艺去除所述掩膜图案的所述半保留部分，并减薄所述保留部分；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述薄膜中未被剩余的掩膜图案覆盖的部分，以形成薄膜图案。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜图案的材料为光刻胶。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在薄膜上形成掩膜图案具体为：

在薄膜上设置光刻胶；并对所述光刻胶进行曝光、显影，以形成掩膜图案。

4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀工艺去除所述掩膜图案的半保留部分具体为：

对所述掩膜图案进行灰化，以去除所述半保留部分，并减薄所述保留部分。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜图案的材料为氮化硅。

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在薄膜上形成掩膜图案具体为：

在薄膜上通过一次构图工艺形成掩膜图案。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述薄膜为金属薄膜。

8.根据权利要求1-7任一项所述的形成方法，其特征在于，所述待形成薄膜图案的形状为线形。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述待形成薄膜图案为栅线或数据线。

10.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述半保留部分围绕所述保留部分。

11.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述薄膜中未被剩余的掩膜图案覆盖的部分之后，所述方法还包括：

剥离所述剩余的掩膜图案。