[发明专利]一种薄膜图案的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜图案的形成方法。

背景技术

高分辨率显示器的画质极为细腻，在显示技术领域中，越来越流行。同样大小的显示器，分辨率越高，则显示器的金属线越细。

金属线多采用构图工艺形成，而构图工艺一般包括：在薄膜上涂覆光刻胶，利用掩膜板对光刻胶进行曝光，接着利用显影液将需去除的光刻胶冲蚀掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离。目前在刻蚀工艺中多采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉薄膜中未覆盖光刻胶的部分。

在实际生产中，环境中的灰尘1极有可能如图1所示，存在于光刻胶2和金属薄膜3之间，或者如图2所示，光刻胶2的侧面易存在裂缝4。那么，在采用湿法刻蚀工艺刻蚀时，由于存在灰尘或者裂缝，刻蚀液极有可能进入到光刻胶的下方，从而将光刻胶下方的部分金属薄膜刻蚀掉。

同时，由于湿法刻蚀工艺具有各向同性的特点即在各方向上以同样的速率进行刻蚀，则采用湿法刻蚀工艺刻蚀时会出现钻刻的现象。当刻蚀液由于灰尘或者裂缝进入到光刻胶的下方时，由于湿法刻蚀工艺存在钻刻现象，从而加剧了光刻胶下方的金属薄膜的刻蚀程度且增大了刻蚀范围。

但是光刻胶下方的金属薄膜是需要保留的部分。在金属线采用湿法刻蚀工艺刻蚀后，金属线局部位置的尺寸有可能出现较预设尺寸偏小的问题。而金属线的预设尺寸原本就很小，这样，金属线局部位置会出现过细甚至断裂的问题，从而降低显示器的质量，甚至导致显示器无法正常工作。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜图案的形成方法，通过该方法可以极大改善采用湿法刻蚀工艺形成薄膜图案时，因灰尘或者光刻胶侧面的裂缝导致的薄膜图案的局部位置出现尺寸较预设尺寸偏小的问题，进而当形成显示器中的金属线图案时，可极大改善金属线局部位置出现过细甚至断裂的问题，从而提高显示器的质量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种薄膜图案的形成方法，所述方法包括：

在薄膜上形成掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括：半保留部分和保留部分，所述保留部分对应于待形成薄膜图案所在的区域，所述半保留部分紧邻所述保留部分；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述薄膜中未被所述掩膜图案覆盖的部分；

采用干法刻蚀工艺去除所述掩膜图案的所述半保留部分，并减薄所述保留部分；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述薄膜中未被剩余的掩膜图案覆盖的部分，以形成薄膜图案。

可选的，所述掩膜图案的材料为光刻胶。

可选的，所述在薄膜上形成掩膜图案具体为：在薄膜上设置光刻胶；并对所述光刻胶进行曝光、显影，以形成掩膜图案。

可选的，所述采用干法刻蚀工艺去除所述掩膜图案的半保留部分具体为：对所述掩膜图案进行灰化，以去除所述半保留部分，并减薄所述保留部分。

可选的，所述掩膜图案的材料为氮化硅。

可选的，在薄膜上形成掩膜图案具体为：在薄膜上通过一次构图工艺形成掩膜图案。

可选的，所述薄膜为金属薄膜。

可选的，所述待形成薄膜图案的形状为线形。

可选的，所述待形成薄膜图案为栅线或数据线。

可选的，所述半保留部分围绕所述保留部分。

可选的，在采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述薄膜中未被剩余的掩膜图案覆盖的部分之后，所述方法还包括：剥离所述剩余的掩膜图案。

本发明的实施例提供了一种薄膜图案的形成方法，该方法包括在薄膜上形成掩膜图案，该掩膜图案包括：半保留部分和保留部分，保留部分对应于待形成薄膜图案所在的区域，半保留部分紧邻所述保留部分；接着采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉薄膜中未被掩膜图案覆盖的部分；然后采用干法刻蚀工艺将掩膜图案的半保留部分去除，并减薄保留部分；最后采用干法刻蚀工艺刻蚀掉薄膜中未被剩余的掩膜图案覆盖的部分，以形成薄膜图案。