[发明专利]显示面板及薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 201510418529.X | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097838B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 赵莽;田勇;易士娟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
一彩色滤光片基板；
一液晶层；以及
一薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
一基板；
一遮光金属层，所述遮光金属层设置在所述基板上；
一第一绝缘层；
一半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层上；
一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述半导体层上；
一第一信号线层，所述第一信号线层设置在所述第二绝缘层上；
一第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层和所述第一信号线层上；
一第二信号线层，所述第二信号线层设置在所述第三绝缘层上，并且所述第二信号线层通过第一通孔与所述半导体层连接；
一第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述第三绝缘层和所述第二信号线层上；
一公共线层，所述公共线层设置在所述第四绝缘层上；
一第三信号线层；
一第五绝缘层，所述第五绝缘层设置在所述第三信号线层上；以及
一像素电极层，所述像素电极层设置在所述第五绝缘层上；
所述遮光金属层与所述第二信号线层通过连接构件连接；
所述第二信号线层中的第二信号线包括：
至少一第一分段；以及
至少一第二分段；
所述遮光金属层中的遮光线包括：
至少一第三分段；以及
至少一第四分段；
所述连接构件包括：
至少一第一子连接构件；以及
至少一第二子连接构件；
其中，所述第一分段和所述第三分段通过所述第一子连接构件连接，所述第二分段和所述第四分段通过所述第二子连接构件连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接构件设置于通孔内；
所述通孔穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述连接构件的末端具有弯折部，所述弯折部与所述遮光金属层和/或所述第二信号线层接触。
4.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
一基板；
一遮光金属层，所述遮光金属层设置在所述基板上；
一第一绝缘层；
一半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层上；
一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述半导体层上；
一第一信号线层，所述第一信号线层设置在所述第二绝缘层上；
一第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层和所述第一信号线层上；
一第二信号线层，所述第二信号线层设置在所述第三绝缘层上，并且所述第二信号线层通过第一通孔与所述半导体层连接；
一第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述第三绝缘层和所述第二信号线层上；
一公共线层，所述公共线层设置在所述第四绝缘层上；
一第三信号线层；
一第五绝缘层，所述第五绝缘层设置在所述第三信号线层上；以及
一像素电极层，所述像素电极层设置在所述第五绝缘层上；
所述遮光金属层与所述第二信号线层通过连接构件连接；
所述第二信号线层中的第二信号线包括：
至少一第一分段；以及
至少一第二分段；
所述遮光金属层中的遮光线包括：
至少一第三分段；以及
至少一第四分段；
所述连接构件包括：
至少一第一子连接构件；以及
至少一第二子连接构件；
其中，所述第一分段和所述第三分段通过所述第一子连接构件连接，所述第二分段和所述第四分段通过所述第二子连接构件连接。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述连接构件设置于通孔内；
所述通孔穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述连接构件的末端具有弯折部，所述弯折部与所述遮光金属层和/或所述第二信号线层接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
