[发明专利]一种高温CVD设备

说明书

本发明涉及一种高温CVD设备，包括：设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁，以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体，其特征在于，所述双层侧壁周向设有基准法兰，所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的所述盖体。所述盖体包括顶盖、上法兰和下法兰，且所述顶盖、上法兰、下法兰和基准法兰逐层压叠，所述上法兰和所述下法兰之间间隙可调整连接，或/和所述下法兰和所述基准法兰之间间隙可调整连接。上法兰、下法兰和基准法兰两两配合分别通过轴向的挤压使套在外层侧壁和内层侧壁外周的胶圈产生径向形变，从而将法兰和侧壁之间密封起来，同时通过严格控制三个法兰的厚度，以此控制因为负压情况下上、下顶盖对法兰的挤压位移较小或为零，从而侧壁端部受到的轴向应力得到了上限控制。

技术领域

本发明涉及一种晶体生长炉，尤其涉及一种高温CVD设备的双层石英水冷及支撑装置。

背景技术

CVD设备为一种常见的通过化学气相沉积法进行晶体生长的高温真空设备，其可以用于生长各种高质量的外延层材料。以碳化硅(SiC)为例，其是一种第三代宽禁带半导体材料，具有宽禁带、高击穿电压、高热导率、高电子饱和漂移速率、高电子迁移率、小介电常数、强抗辐射性、高化学稳定性等优点，是制造高温、高频、大功率、抗辐射、非挥发存储器件及光电集成器件的关键材料；碳化硅电力电子器件具有转换效率高、耐高温、抗辐射等特点，已经逐渐在电力转换、太阳能光伏、电动汽车、高效马达等领域取代硅器件，开始崭露头角。碳化硅电力电子器件的性能主要取决于碳化硅外延材料的质量，现有技术中，通常利用高温CVD设备进行碳化硅外延层材料的生长，因此设备的可靠和稳定性也显得尤为重要。

中国专利申请CN 103184514 A公开了一种晶体生长炉，其冷却侧壁采用石英材质，在安装此双层冷却侧壁过程中采用多个法兰配合将侧壁固定住，但是使用过程中由冷却侧壁形成的收容空间需要抽真空，这样由于负压的原因上顶盖和下顶盖会沿冷却侧壁的轴向对其进行挤压，由于法兰盘发生的微小弹性形变以及法兰盘之间的间隙被压缩，在轴向应力足够大的情况下，石英材质的侧壁会被压碎或压裂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以对双层侧壁提供固定支撑防止其被压裂的高温CVD设备。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种高温CVD设备，包括：设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁，以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体，其特征在于，所述双层侧壁周向设有基准法兰，所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的所述盖体。

本发明一个较佳实施例中，所述盖体包括顶盖、上法兰和下法兰，且所述顶盖、上法兰、下法兰和基准法兰逐层压叠，所述上法兰和所述下法兰之间间隙可调整连接，或/和所述下法兰和所述基准法兰之间间隙可调整连接。

本发明一个较佳实施例中，所述基准法兰固定在所述CVD设备外部的支撑架上。

本发明一个较佳实施例中，所述内层侧壁和所述外层侧壁之间设有间隙，所述内层侧壁两端均伸出与外层侧壁的端部错开设置。

本发明一个较佳实施例中，上法兰设有第一胶圈槽，所述上法兰设有第一胶圈槽，所述下法兰设有朝向所述上法兰的第一凸部，所述内层侧壁的端部以及其外周设有的胶圈共同设置在所述第一胶圈槽内，所述第一凸部沿所述双层侧壁轴向压入所述第一胶圈槽并挤压所述胶圈。

本发明一个较佳实施例中，所述基准法兰设有第二胶圈槽，所述下法兰设有朝向所述基准法兰的第二凸部，所述外层侧壁的端部以及其外周设有的胶圈共同设置在所述第二胶圈槽内，所述第二凸部沿双层侧壁轴向压入所述第二胶圈槽并挤压所述胶圈。

本发明一个较佳实施例中，所述上法兰和下法兰分别通过胶条密封的抵在内层侧壁端部和外层侧壁端部。

本发明一个较佳实施例中，所述双层侧壁两端均设有的基准法兰均通过同一支撑架固定，所述支撑架限定两所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向的间距。