[发明专利]一种Mg‑Hg中间合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510419594.4 申请日: 2015-07-16
公开(公告)号: CN106702190B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 马鸣龙;张奎;李兴刚;李永军;石国梁;袁家伟;李蒙 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C22C1/03 分类号: C22C1/03;C22C23/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 代理人: 刘徐红
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 mg hg 中间 合金 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种固液两相金属中间合金制备方法,特别涉及一种Mg-Hg中间合金的制备方法,属于工业用镁合金范畴。

背景技术

海水电池的发展往往伴随着战争,特别是鱼雷潜艇的研发,具有非常重要的战略地位。最初的海水电池材料氯化银作为阴极的,但由于价格昂贵,发展相对缓慢,在随后开发了不含贵金属的电池体系材料,扩大了应用范围。目前关于海水电池的阳极材料的体系有很多,如锂、钙、镁、铝、锌等合金,其中锂、钙元素与水会发生剧烈反应,以一般海水电池结构来讲,无法控制其反应进行程度,因此目前尚未实用。

从金属活动顺序表中可知,镁的电极电位很低,是目前可不利用外加特殊手段而相对稳定存在于空气中的活泼金属。尽管镁合金的副反应较为严重,但镁的电压高,可以大电流放电,是目前最广泛使用的一种海水电池阳极材料。

从电化学原理中可知,氢气在不同金属表面析出的难易程度可以用析氢过电位表示,许多金属的析氢过电位均服从Tafel公式。

ηc=a+b lgI

公式中常数a的物理意义是当电流密度为1A·cm-2时的析氢过电位数值,其大小与金属表面吸附氢键的大小有直接关系,而吸附氢键主要是氢原子中的电子与金属中的不成对的d电子形成,因此,金属中d电子越多,不成对的d电子就越少,M-H的吸附也就弱。

常见的高析氢过电位元素主要有Pb、Hg、Ga、Tl、Sn等,其a值在1.0~1.5V。在合金中加入高析氢过电位元素,不仅可以减弱表面腐蚀产物膜的形成,还可以减少阳极极化,增加放电电压,因此是目前在海水电池阴极材料中常常添加的合金元素。

Mg-Hg-Ga体系是目前海水电池中的典型阴极材料体系,其最主要的特点是合金元素含量低,没有严重的副反应,极化轻微。但由于Hg、Ga元素的特殊性,难于加工,对熔炼及塑性加工工艺提出了很高的要求。传统的Mg-Hg-Ga合金熔炼是以金属汞的形式加入镁熔体中,由于熔体温度远高于汞的沸点357℃,高温会造成汞的大量挥发,严重污染环境,损害现场工作人员健康,现场工作的人员必须配备呼气器,防毒工作服,降低企业生产效率,另外,汞元素的挥发使得合金中的汞含量不可控,合金质量的稳定性、成本及批产能力都受到了很大的影响。

基于此,有必要就上述问题提出一种解决方案,为方便Mg-Hg-Ga体系合金的制备加工提供保障。

发明内容

针对Hg室温下即为液态金属的特点,直接熔炼成合金较为困难,本发明提供了一种Mg-Hg中间合金的制备方法。

一种Mg-Hg中间合金的制备方法,包括如下步骤:

(1)选用耐高温陶瓷体作为中间合金的承载体;

(2)对陶瓷体进行预热,除去所含的水汽,然后随炉冷却;

(3)将纯镁板表面打磨并保有一定的粗糙度,除去杂质,然后均匀钻孔;孔的大小随着陶瓷体尺寸的变化而改变;

(4)将镁板紧密排列在陶瓷体内,镁板之间均匀撒上纯镁粉,并在每一层中间加入汞,或者先将镁粉与汞进行充分搅拌,然后撒在镁板中间,同时对已钻孔洞进行填充;

(5)将陶瓷体密封,然后放入洒满硫磺的耐高温容器中,连同容器一起放入马弗炉中进行热处理,然后随炉冷却至室温;

(6)取出陶瓷体中的镁板,去除表面杂质,然后进行加工变形。

步骤(1)中,所述的中间合金的承载体可为MgO、ZrO2或者是SiC材质,为厚壁容器,或者为实心材料加工成的容器。

步骤(2)中,陶瓷体的预热温度为200℃~300℃,时间为1h~3h。

步骤(3)中,镁板的厚度为0.5mm~10mm,表面的粗糙度可为100-200;钻孔的尺寸为1mm~3mm,孔与孔之间的距离为3~10mm。

步骤(4)中,所述的镁粉的粒度为50~100目。镁的重量符合Mg-Hg中间合金的预定值,汞的重量适当大于预定值,汞的加入量按照收得率为80%~95%(重量%)计算。

步骤(5)中,陶瓷体的热处理制度为100~150℃保温10h~20h,升温至200℃~250℃保温10h~20h,继续升温至300℃~340℃,保温2h~5h。

步骤(6)中,所述的加工变形包括锻造、轧制等,加工后得到块体或板体;所述的加工变形还可为先经过锻造或轧制,然后进行挤压变形,得到棒材。所述的加工变形的温度为室温(25℃)至350℃,然后空冷。

本发明的优点:

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