[发明专利]一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法有效
| 申请号： | 201510420460.4 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097576B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;别晓锐;史戈;安彤;武伟;肖智轶 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微凸点 凸点下金属层 焊锡 高可靠性 焊料合金 晶圆级 阻挡层 半导体芯片封装 各向同性刻蚀 电镀铜层 封装产品 过度刻蚀 刻蚀掩膜 曝光显影 湿法刻蚀 电镀铜 光刻胶 桥接 去胶 铜层 凸点 掩膜 去除 制作 塌陷 开口 | ||
1.一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：该方法避免在进行各向同性湿法刻蚀去除多余的凸点下金属层时，凸点层不会被过度刻蚀，从而提高微凸点及产品的可靠性；
其工艺流程如下，
A)提供一IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(100b)及若干焊盘(100a)，所述钝化层(100b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(110)；
B)于晶圆正面及第一开口内依次溅镀钛层(101)和铜层(102)；
C)于所述溅镀铜层(102)上形成第一光阻层(103)，所述第一光阻层(103)通过曝光、显影工艺形成暴露凸点下金属层的第二开口(120)；
D)在第二开口(120)内，采用电镀工艺在暴露的凸点下金属层(102)上依次沉积凸点层(104)和阻挡层(105)；
E)去除第一光阻层(103)；
F)涂覆第二光阻层(106)，并通过曝光、显影工艺在凸点区域形成第三开口(130)；
G)于第三开口(130)内沉积焊料层(107)；
H)将焊料层进行高温回流形成微凸点(108)，并去除第二光阻层(106)；
I)以微凸点(108)为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，去除多余的溅镀铜层(102)，同时可避免凸点层(104)产生底切(109)。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：所述溅镀铜层(102)的形成方法为PVD。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：所述第一光阻层(103)的高度要大于凸点层(104)与阻挡层(105)的高度之和。
4.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：所述第二光阻层(106)的开口长度要大于凸点层(104)及阻挡层(105)。
5.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：所述第二光阻层(106)的高度要大于凸点层(104)、阻挡层(105)和焊料层(107)的高度之和。
6.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：所述第一光阻层(103)和第二光阻层(106)的去除方式为剥离或刻蚀。
7.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：所述焊料层(107)的沉积方法为电镀法或丝网印刷法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510420460.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的量测方法、蚀刻方法及形成方法
- 下一篇：半导体结构的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
