[发明专利]一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法

说明书

一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。

技术领域

本发明涉及一种微凸点的制作方法，尤其涉及一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。

背景技术

随着各类电子产品不断向高集成度、高性能、轻量化和微型化方向发展，电子封装的封装密度也越来越高，芯片的I/O数也越来越多。为了满足这些要求，产生了诸如BGA、CSP、Flip Chip等先进封装形式。但无论是何种封装形式，晶圆级封装以其高度整合、可降低产品成本、缩短制造时间等优势，正逐渐成为主流封装技术。鉴于此，晶圆级封装中一个关键技术——微凸点技术也正在朝着小尺寸、细节距、高密度的方向发展。

现有的微凸点制作工艺包括：沉积凸点下金属层、涂覆光刻胶、曝光和显影、电镀、刻蚀凸点下金属层、涂覆助焊剂、回流、去除助焊剂等。在现有的工艺中，刻蚀凸点下金属层时将整片晶圆浸入刻蚀溶液中，以电镀焊锡微凸点为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，该工艺的一个主要缺点就是电镀铜层的“底切(Undercut)”问题，如图1所示。这是由于溅镀铜、钛的密度要高于电镀铜的密度，因而位于凸点下金属铜层上的电镀铜层易受到过度刻蚀，在阻挡层镍层下方形成向内凹进的切口，从而影响微凸点的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种高可靠性焊锡微凸点的制作方法，避免在进行各向同性湿法刻蚀去除多余的凸点下金属层时，凸点层不会被过度刻蚀，从而提高微凸点及产品的可靠性。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其工艺流程如下：

A)提供一IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(100b)及若干焊盘(100a)，所述钝化层(100b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(110)；

B)于晶圆正面及第一开口内依次溅镀钛层(101)和铜层(102)；

C)于所述溅镀铜层(102)上形成第一光阻层(103)，所述第一光阻层(103)通过曝光、显影等工艺形成暴露凸点下金属层的第二开口(120)；

D)在第二开口(120)内，采用电镀工艺在暴露的凸点下金属层(102)上依次沉积凸点层(104)和阻挡层(105)；

E)去除第一光阻层(103)；

F)涂覆第二光阻层(106)，并通过曝光、显影工艺在凸点区域形成第三开口(130)；

G)于第三开口(130)内沉积焊料层；

H)将焊料层进行高温回流形成微凸点(108)，并去除第二光阻层(106)；

I)以微凸点(108)为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，去除多余的溅镀铜层(102)，同时可避免凸点层(104)产生底切(109)。

所述溅镀铜层(102)的形成方法为PVD(Physical Vapor Deposition)。

所述第一光阻层(103)的高度要大于凸点层(104)与阻挡层(105)的高度之和。

所述第二光阻层(106)的开口长度要大于凸点层(104)及阻挡层(105)。

所述第二光阻层(106)的高度要大于凸点层(104)、阻挡层(105)和焊料层的高度之和。