[发明专利]一种MTM反熔丝单元结构的制备方法

权利要求书

1.一种MTM反熔丝单元结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

在基于硅衬底的器件层（1）上进行第一金属间介质材料淀积，形成第一金属间介质层（2a），再在第一金属间介质层（2a）上进行下层金属材料淀积，形成下层金属层（3）；

（2）在下层金属层（3）上进行第一阻挡层材料淀积，形成第一阻挡层（4a）；

（3）在第一阻挡层（4a）上进行第二金属间介质材料淀积，形成第二金属间介质层（2b），第二金属间介质层（2b）作为反熔丝介质层（5）和第一阻挡层（4a）之间的漏电隔离层；

（4）对第二金属间介质层（2b）的左、右及中间部分进行刻蚀；

（5）在第一阻挡层（4a）上进行反熔丝介质材料淀积，形成反熔丝介质层（5）；

（6）在反熔丝介质层（5）上进行第二阻挡层材料淀积，形成第二阻挡层（4b）；

（7）对反熔丝介质层（5）和下层金属层（3）的左、右两部分进行刻蚀，形成反熔丝单元结构的上电极板和下电极板，刻蚀停止在第一金属间介质层（2a）上；反熔丝介质层（5）和下层金属层（3）的左、右两部分中被刻蚀掉的宽度与步骤（4）中第二金属间介质层（2b）的左、右两部分中被刻蚀掉的宽度相同；

（8）在步骤（7）中得到的反熔丝单元结构的上电极板上进行第三金属间介质材料淀积，形成第三金属间介质层（2c），再对第三金属间介质层（2c）的中间部分进行刻蚀，形成通孔结构，最后在第三金属间介质层（2c）上进行上层金属材料淀积，形成上层金属层（6），对上层金属层（6）进行刻蚀，形成MTM反熔丝单元结构。

2.根据权利要求1所述的MTM反熔丝单元结构的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中得到的作为漏电隔离层的第二金属间介质层（2b）中的介质材料为二氧化硅或氧化硅或掺杂二氧化硅的绝缘材料中的一种，漏电隔离层的厚度为10nm~100nm。

3.根据权利要求1所述的MTM反熔丝单元结构的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中得到的反熔丝介质层（5）中的介质材料为非晶硅、多晶硅、硅或二氧化硅中的一种，反熔丝介质层（5）的厚度为30~150nm。

4.根据权利要求1所述的MTM反熔丝单元结构的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中的第一金属间介质材料淀积、步骤（3）中的第二金属间介质材料淀积和步骤（8）中的第三金属间介质材料淀积均采用PECVD法；所述步骤（1）中的下层金属材料淀积、步骤（2）中的第一阻挡层材料淀积、步骤（5）中的反熔丝介质材料淀积、步骤（6）中的第二阻挡层材料淀积和步骤（8）中的上层金属材料淀积均采用磁控溅射法。

5.根据权利要求1所述的MTM反熔丝单元结构的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中得到的第一金属间介质层（2a）和步骤（8）中得到的第三金属间介质层（2c）的厚度均为500nm~1200nm；所述步骤（1）中得到的下层金属层（3）和步骤（8）得到的上层金属层（6）的厚度均为400nm~800nm；所述步骤（2）中得到的第一阻挡层（4a）和步骤（6）中得到的第二阻挡层（4b）的材料均为钨、钨化钛或钛中的一种，第一阻挡层（4a）和第二阻挡层（4b）的厚度均为20nm~300nm。