[发明专利]一种静电吸盘装置有效
申请号: | 201510423110.3 | 申请日: | 2015-07-17 |
公开(公告)号: | CN106653670B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 吴狄;户高良二 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 吸盘 装置 | ||
本发明提供了一种静电吸盘装置,包括:静电吸盘、用于支撑所述静电吸盘的支撑结构以及用于测量静电吸盘温度的光纤温度传感器,所述光纤温度传感器包括传输光纤,所述传输光纤包括相互分离的第一传输光纤和第二传输光纤;当将所述静电吸盘组装到所述支撑结构上时,安装有第一传输光纤的所述静电吸盘的下表面与安装有第二传输光纤的所述支撑结构的上表面相对放置,所述第一传输光纤的第一端与所述第二传输光纤的第一端对接。本发明提供的静电吸盘装置减少了传输光纤被损坏的几率,保证了传输光纤的稳定性,降低了静电吸盘装置的硬件成本。
技术领域
本发明涉及半导体加工设备领域,尤其涉及一种静电吸盘装置。
背景技术
通常情况下,静电吸盘装置包括静电吸盘ESC以及用于支撑该静电吸盘的支撑结构。在半导体加工过程中,需要将待加工处理的晶圆固定在静电吸盘上。并且,为了得到较好的处理效果,还需要测量静电吸盘的温度。因此,静电吸盘装置还包括用于测量静电吸盘温度的温度检测装置。
目前,在半导体加工技术中,温度检测装置通常采用热电耦测量元件。热电耦测量元件直接测量静电吸盘的温度,并把温度信号转换成热电动势信号,通过电气仪表(二次仪表)转换成静电吸盘的温度。也就是说,热电偶在测温过程中要用到电压信号。然而,在半导体加工过程中,由于会用到射频能源,这些射频能源会产生电磁信号,因此,在半导体加工过程中,这些电磁信号会干扰热电耦测量元件测温过程中产生的电压信号,从而会影响热电偶测量元件的测量精度。为了准确地测量静电吸盘的温度,在半导体加工领域,开始采用光纤探测器测量静电吸盘的温度。
然而,现有的光纤探测器的传输光纤为一整根细长的光纤,通常情况下,光纤探测器的传输光纤的一端固定在支撑结构上,另一端为测量端,该测量端从支撑结构的上表面伸出。在组装静电吸盘和支撑结构时,静电吸盘穿过传输光纤的测量端,将靠近测量端的一段传输光纤安装在静电吸盘内,从而实现静电吸盘和支撑结构的组装。当拆卸静电吸盘装置时,也需要将静电吸盘穿过传输光纤的测量端。因此,在静电吸盘装置的组装和拆卸过程中,静电吸盘要穿过传输光纤的测量端,所以,在安装和拆卸静电吸盘装置的过程中,静电吸盘很容易触碰到安装在传输光纤测量端的探头,降低光纤温度传感器的测量精度,并且,由于该细长的传输光纤很脆,在安装和拆卸静电吸盘装置的过程中,传输光纤很容易损坏,导致硬件设备成本的提高。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种新的静电吸盘装置,以降低光纤探测器被损坏的几率,降低硬件成本。
为了解决上述技术问题,本发明采用了如下技术方案:
一种静电吸盘装置,包括:静电吸盘、用于支撑所述静电吸盘的支撑结构以及用于测量静电吸盘温度的光纤温度传感器,其中,所述光纤温度传感器包括传输光纤,所述传输光纤包括相互分离的第一传输光纤和第二传输光纤;
所述静电吸盘上设置有用于安装所述第一传输光纤的第一安装结构;
所述支撑结构上设置有用于安装所述第二传输光纤的第二安装结构;
当将所述静电吸盘组装到所述支撑结构上时,安装有第一传输光纤的所述静电吸盘的下表面与安装有第二传输光纤的所述支撑结构的上表面相对放置,所述第一传输光纤的第一端与所述第二传输光纤的第一端对接;
其中,所述第一传输光纤的第一端位于所述静电吸盘的下表面的一侧;所述第二传输光纤的第一端位于所述支撑结构的上表面的一侧。
可选地,所述第一传输光纤的第一端与所述静电吸盘的下表面相平,所述第二传输光纤的第一端与所述支撑结构的上表面相平。
可选地,所述第一传输光纤的第一端从所述静电吸盘的下表面伸出第一长度,所述第二传输光纤的第一端从所述支撑结构的上表面缩进第一长度。
可选地,所述第一长度不大于2毫米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造