[发明专利]微处理器装置、集成电路以及选择基底偏压的方法

权利要求书

1.一种微处理器装置，其特征在于，包括：

一第一电源供应节点，提供一第一核心电压；

一功能区块，具有多个电力模式，该功能区块包括：

多个半导体装置，分别具有一基底接点；以及

一第一基底偏压导线，设置于上述功能区块及耦接至少一上述半导体装置的上述基底接点；

一第一充电节点；

一第一选择电路，包括一第一半导体装置及一第二半导体装置，当上述功能区块于低电力模式时，耦接上述第一基底偏压导线至上述第一充电节点，并于上述功能区块为全电力模式时钳制上述第一基底偏压导线至上述第一电源供应节点；

沿着上述第一基底偏压导线的长度而分布的多个钳位装置，分别耦接于上述第一电源供应节点与上述第一基底偏压导线之间，每一钳位装置具有一控制输入端；以及

一基底偏压电路，当上述功能区块于上述低电力模式时，将上述第一充电节点充电至相对于上述第一核心电压的一第一偏移电压的一第一基底偏压，

其中，上述基底偏压电路包括一控制装置及一偏压产生器，当上述功能区块为上述低电力模式时，上述控制装置提供一第一控制信号来控制上述偏压产生器产生并输出上述第一基底偏压以将上述第一充电节点充电，当上述功能区块转换为上述全电力模式时，上述控制装置通过上述第一控制信号来控制上述偏压产生器产生并输出上述第一核心电压以驱动上述第一充电节点至上述第一核心电压，

上述控制装置还提供一第二控制信号至上述第一选择电路的一控制输入端以及上述多个钳位装置的控制输入端，在上述功能区块操作为上述全电力模式时，上述第二控制信号使上述第一半导体装置以及上述多个钳位装置导通且上述第二半导体装置不导通，在上述功能区块操作为上述低电力模式时，上述第二控制信号使上述第一半导体装置以及上述多个钳位装置不导通且上述第二半导体装置导通，

当上述多个钳位装置的控制输入端被上述第二控制信号致能时，上述多个钳位装置钳制上述第一基底偏压导线至上述第一电源供应节点。

2.根据权利要求1所述的微处理器装置，其特征在于，上述第一半导体装置耦接于上述第一电源供应节点及上述第一基底偏压导线之间；

上述第二半导体装置耦接于上述第一基底偏压导线及上述第一充电节点之间；以及

上述第一选择电路于上述全电力模式致能上述第一半导体装置及于上述低电力模式致能上述第二半导体装置。

3.根据权利要求2所述的微处理器装置，其特征在于，

上述第二控制信号在上述功能区块操作于上述全电力模式时具有一第一状态，并于上述功能区块操作于上述低电力模式时具有一第二状态；以及

上述第一选择电路于上述第二控制信号于上述第一状态时致能上述第一半导体装置，并于上述第二控制信号于上述第二状态时致能上述第二半导体装置。

4.根据权利要求1所述的微处理器装置，其特征在于，还包括：

一第二电源供应节点，提供一第二核心电压，

其中，当沿着上述第一基底偏压导线的电压由上述第一核心电压和上述第二核心电压变动的范围超过一既定最小电压电平时，上述多个钳位装置的控制输入端被上述第二控制信号致能。

5.根据权利要求4所述的微处理器装置，其特征在于，

其中上述第一选择电路包括：

上述控制输入端，接收该第二控制信号，上述第二控制信号切换于上述第一核心电压与上述第二核心电压之间，以指示上述功能区块的电力模式；

一第一电平移位电路，具有接收上述第二控制信号的一输入端与提供一电平移位控制信号的一输出端，其中上述电平移位控制信号切换于上述第一基底偏压与上述第二核心电压之间；

一反相器，具有接收上述电平移位控制信号的一输入端及一输出端，其中上述反相器的输出端切换于上述第一基底偏压及上述第二核心电压之间；

上述第一半导体装置，包括接收上述电平移位控制信号的一栅极、耦接上述第一电源供应节点的一源极以及耦接上述第一基底偏压导线的一漏极与一基底；以及

上述第二半导体装置，包括耦接上述反相器的输出端的一栅极、耦接上述第一充电节点的一源极以及耦接上述第一基底偏压导线的一漏极与一基底。