[发明专利]基于局域表面等离子体共振检测激酶活性的光电传感器

权利要求书

1.一种基于局域表面等离子体共振检测激酶活性的光电传感器，包括工作电极、对电极、参比电极，所述工作电极包括ITO玻璃基底，在基底上依次制备有金属氧化物半导体层、在金属氧化物半导体层表面硅烷化和接枝戊二醛形成的立体网络结构层、固定化酶膜，DNA/纳米金属层。

2.如权利要求1所述的基于局域表面等离子体共振检测激酶活性的光电传感器，其特征在于，所述的DNA/纳米金属层上镶嵌有光敏剂。

3.一种基于局域表面等离子体共振检测激酶活性的光电传感器，其特征在于，包括如下步骤：

1)特异性DNA经杂交孵育后，再与贵金属纳米粒子偶联制得DNA/纳米金属溶胶；

2)在ITO玻璃片之上加半导体金属氧化物，高温干燥，即得半导体金属氧化物/ITO电极；

3)将半导体金属氧化物/ITO电极浸入有机硅烷化试剂进行硅烷化，反应完成后，再浸入戊二醛溶液中进行接枝共聚，得接枝戊二醛的半导体金属氧化物/ITO电极；

4)在黑暗条件下，在接枝戊二醛的半导体金属氧化物/ITO电极表面修饰多肽，脱除电极表面多余的液体后得多肽修饰的电极；

5)将含有蛋白激酶、三磷酸腺苷ATP、镁离子的Tris缓冲溶液滴加到多肽修饰的电极，使多肽发生磷酸化；并将步骤1)得到的DNA/纳米金属溶胶滴加到电极上，再用光敏剂对电极进行修饰，即得工作电极。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述特异性DNA的基因序列为：

DNA₁：5′-SH-C6-ATCGTTTAGGATTTGGATGA-P-3′；

DNA₂：3′-GCAAATCCTAAAC。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述的半导体金属氧化物为氧化钛TiO₂或氧化锌ZnO。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤4)中，所述多肽为肯普肽，将所述多肽修饰的电极用6-氨基己酸进行封闭。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤5)中，所述光敏剂为三联吡啶钌。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述贵金属纳米粒子为纳米金、纳米银、纳米钯或纳米铂。

9.如权利要求1或2所述的光电传感器在检测蛋白激酶活性的应用。

10.如权利要求1或2所述的光电传感器在对抑制剂的筛选方面的应用。