[发明专利]多晶硅片制绒及清洗方法有效
申请号: | 201510431731.6 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105140336B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 梁杭伟;李家兰;叶雄新;孙小菩;彭华 | 申请(专利权)人: | 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 生启 |
地址: | 523141 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
将多晶硅片至于2℃~10℃的混合液中浸泡1分钟~2分钟进行制绒,所述混合液由硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成;
将制绒后的所述多晶硅片依次使用水、无机碱溶液、混合酸液及水进行清洗,其中,所述无机碱溶液的温度为48℃~52℃,所述混合酸液由盐酸和氢氟酸组成;及
将清洗后的多晶硅片进行干燥。
2.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,所述混合液由体积比为15~14:5~4:2~1.5的硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成,其中,所述硝酸的质量浓度为65%~68%,所述氢氟酸的质量浓度为48.4%~49.6%,所述冰乙酸的质量浓度为99.8%~99.9%。
3.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,所述混合酸液中,所述盐酸与所述氢氟酸的体积比为2:1。
4.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,所述混合酸液中所述盐酸的质量浓度为36%~38%,所述氢氟酸的质量浓度为48.4%~49.6%。
5.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,所述无机碱溶液的质量浓度为12%~15%。
6.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,所述进行干燥的方法为:使用压缩空气吹干。
7.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,将制绒后的所述多晶硅片使用水清洗时,使用超纯水喷淋清洗。
8.根据权利要求1所述的多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,所述无机碱溶液选自氢氧化钾溶液及氢氧化钠溶液中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的