[发明专利]多晶硅片制绒及清洗方法有效
申请号: | 201510431731.6 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105140336B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 梁杭伟;李家兰;叶雄新;孙小菩;彭华 | 申请(专利权)人: | 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 生启 |
地址: | 523141 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 硅片 清洗 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池制备领域,尤其涉及一种多晶硅片制绒及清洗方法。
背景技术
制绒是太阳能电池制造过程中一个必不可少的环节。制绒在多晶硅片的表面生成微小的金字塔形状,以减少对光线的烦死,从而吸收更多的光子能量。
制绒时,在多晶硅片表面形成的坑洞的大小以及均匀性对制备的太阳能电池的转换效率有很大的影响。现有的多晶硅制绒方法,对多晶硅片进行制绒处理后,多晶硅片表面坑洞大且不均匀,从而多晶硅片反射率高,光学损失大,进而导致太阳能电池的转换效率较低。
发明内容
基于此,有必要提供一种可以降低多晶硅片的反射率的多晶硅片制绒及清洗方法。
一种多晶硅片制绒及清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
将多晶硅片至于2℃~10℃的混合液中浸泡1分钟~2分钟进行制绒,所述混合液由硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成;
将制绒后的所述多晶硅片依次使用水、无机碱溶液、混合酸液及水进行清洗,其中,所述无机碱溶液的温度为48℃~52℃,所述混合酸液由盐酸和氢氟酸组成;及
将清洗后的多晶硅片进行干燥。
在其中一个实施例中,所述混合液由体积比为15~14:5~4:2~1.5的硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成,其中,所述硝酸的质量浓度为65%~68%,所述氢氟酸的质量浓度为48.4%~49.6%,所述冰乙酸的质量浓度为99.8%~99.9%。
在其中一个实施例中,所述混合酸液中,所述盐酸与所述氢氟酸的体积比为2:1。
在其中一个实施例中,所述混合酸液中所述盐酸的质量浓度为36%~38%,所述氢氟酸的质量浓度为48.4%~49.6%。
在其中一个实施例中,所述无机碱溶液的质量浓度为12%~15%。
在其中一个实施例中,所述进行干燥的方法为:使用压缩空气吹干。
在其中一个实施例中,将制绒后的所述多晶硅片使用水清洗时,使用超纯水喷淋清洗。
在其中一个实施例中,所述无机碱溶液选自氢氧化钾溶液及氢氧化钠溶液中的至少一种。
上述多晶硅片制绒及清洗方法,通过使用由硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成的混合液在2℃~10℃下进行制绒,冰乙酸能降低溶液表面张力,减少气泡附着时间,且冰乙酸在在反应过程中能起到缓冲反应的作用,制绒温度较低,从而可以控制制绒反应的反应速度,制绒时气泡产生速度较低,形成的绒面坑洞小且分布均匀,之后采用碱液及混合酸液进行清洗,能有效的降低多晶硅片表面的反射率,增加多晶硅片对光的吸收率,从而可以提高太阳能电池的转换效率。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
一实施方式的多晶硅片制绒及清洗方法,包括以下步骤:
步骤S110、将多晶硅片至于2℃~10℃的混合液中浸泡1分钟~2分钟进行制绒,混合液由硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成。
优选的,混合液由体积比为15:5:2的硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成。硝酸的质量浓度为65%~68%,氢氟酸的质量浓度为48.4%~49.6%,冰乙酸的质量浓度为99.8%~99.9%。冰乙酸的纯度等级为电子级或分析纯。硝酸的纯度为工业级。氢氟酸的纯度为工业级。
步骤S120、将制绒后的多晶硅片依次使用水、无机碱溶液、混合酸液及水进行清洗,其中,无机碱溶液的温度为48℃~52℃,混合酸液由盐酸和氢氟酸组成。
优选的,进行清洗的方式为喷洗或淋洗。
优选的,使用超纯水进行清洗。
优选的,使用超纯水进行喷淋清洗。
优选的,无机碱溶液中无机碱的质量浓度为12%~15%。
优选的,使用一台加热泵给无机碱溶液进行加热。
优选的,混合酸液中,盐酸与氢氟酸的体积比为2:1。盐酸的质量浓度为36%~38%,氢氟酸的质量浓度为48.4%~49.6%。
步骤S130、将清洗后的多晶硅片进行干燥。
优选的,使用压缩空气吹干的方式对多晶硅片进行干燥。当然,也可以采用其他的干燥方式,比如烘干。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的