[发明专利]显影方法和显影装置

说明书

本发明提供使面内线宽分布的均匀性提高的显影方法。本发明提供一种显影方法，将配置于晶片(W)的表面(Wa)上且被曝光了的抗蚀剂膜(R)显影而形成抗蚀剂图案，该显影方法包括：使晶片(W)绕在与水平地保持的晶片(W)的表面(Wa)正交的方向上延伸的旋转轴旋转，并且从位于晶片(W)的上方的液体接触部件(N)的排出口(Na)将显影液(L)排出到抗蚀剂膜(R)上，使显影液(L)遍布于抗蚀剂膜(R)的表面上的步骤；和将具有与晶片(W)的表面(Wa)相对的下端面(Nb)的液体接触部件(N)配置于作为晶片(W)的表面(Wa)之中在先从液体接触部件(N)进行了显影液(L)的供给的区域的在先区域的上方的步骤。

技术领域

本发明涉及曝光后的抗蚀剂膜的显影方法、显影装置和该显影装置中使用的计算机能够读取的存储介质。

背景技术

当前，在进行基板的微细加工时，使用光刻技术在基板(例如，半导体晶片)上形成凹凸图案是广泛进行的。例如，在半导体晶片上形成抗蚀剂图案的步骤包括：在半导体晶片的表面形成抗蚀剂膜；沿着规定的图案将该抗蚀剂膜曝光；和使曝光后的抗蚀剂膜与显影液反应来进行显影。

历来公开有各种显影技术。例如，专利文献1公开了在静止的基板上形成由显影液形成的桨(储液)的显影方式。桨的形成中使用具有长条的排出口的喷嘴，通过一边从侧排出口排出显影液一边使喷嘴从基板的一端向另一端移动而在基板上的抗蚀剂膜的整个面盛满显影液。以下为了方便，将该显影方式称为“静止显影方式”。

专利文献2公开了对旋转的基板供给显影液的显影方式。喷嘴一边向基板的半径方向移动，一边从其排出口向基板供给显影液。通过因基板的旋转引起的离心力的作用和显影液的供给位置的移动，在抗蚀剂膜上形成显影液的液膜。以下为了方便，将对旋转的基板供给显影液的显影方式称为“旋转显影方式”。

专利文献3公开了分类为旋转显影方式的显影方法的一例。即，专利文献3记载的方法是使用具有与晶片相对配置的下端面的喷嘴的方法，使旋转的晶片与在包括其旋转中心的区域配置的喷嘴的下端面之间的间隙为液密状态而对晶片上供给液体，该液体因离心力而向外侧扩散。

现有技术

专利文献

专利文献1：日本特开2001－196301号公报(专利第3614769号公报)

专利文献2：日本特开2011－091274号公报(专利第4893799号公报)

专利文献3：日本特开2012－74589号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在静止显影方式的情况下，在由显影液构成的桨中难以产生显影液的对流，与抗蚀剂膜反应而反应性降低了的显影液容易留在该部位。因此，显影处理需要比较长的时间。

在旋转显影方式的情况下，所供给的显影液在基板上流动。该情况下，由于显影液在基板上流动，所以显影液一边流动一边与抗蚀剂膜反应，沿着显影液的流动方向显影液的浓度发生变化。因此，由于显影液的液流，也称为基板的表面内的抗蚀剂图案的线宽(CD(Critical dimension)。以下，将抗蚀剂图案的线宽简称为“线宽”。)的分布(还将基板的表面内的线宽的分布称为“面内线宽分布”。)变得不均匀。

因此，本公开说明了能够使面内线宽分布的均匀性提高的显影方法、显影装置和计算机能够读取的存储介质。

用于解决技术问题的技术方案