[发明专利]加工方法

权利要求书

1.一种加工方法，所述加工方法是在半导体基板的表面上层叠有多个低介电常 数绝缘膜和金属图案且在由形成为格子状的间隔道划分出的多个区域中形成有器件 的被加工物的加工方法，该加工方法的特征在于，

所述加工方法包括：

遮掩工序，用表面保护部件覆盖在被加工物上形成的该器件的表面，使该间隔道 露出；

湿式喷砂工序，使磨粒分散在溶解该金属图案的蚀刻液中并与压缩气体一起喷射 到被加工物上，由此将该间隔道上的低介电常数绝缘膜和该金属图案去除而使该半导 体基板露出；以及

分割工序，对通过该湿式喷砂工序使得该半导体基板露出的被加工物实施干蚀 刻，沿着该间隔道来分割被加工物。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，

该干蚀刻是使用了氟系气体的等离子蚀刻。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的加工方法，其特征在于，

该表面保护部件是橡胶系树脂。