[发明专利]加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及对板状的被加工物进行加工的加工方法。

背景技术

在以手机为代表的小型轻量的电子设备中，具备IC等电子电路(器件)的器件 芯片成为必要的构成部件。器件芯片例如能够通过下述方式来制造：用被称作间隔道 的多个分割预定线对由硅等材料构成的半导体基板的表面进行划分，并在各区域上形 成器件后，沿着该间隔道分割半导体基板。

近年，利用被称作Low-k膜的低介电常数绝缘膜使器件的布线之间绝缘的技术 得到实用化。通过将Low-k膜用于布线之间的绝缘，由此，即使由于工艺的微细化 而导致布线的间隔变狭，也能够将在布线之间产生的静电电容抑制得较小，从而能够 抑制信号的延迟。由此，能够将器件的处理能力维持得较高。

上述的Low-k膜是将多个层重叠而形成的，其机械强度较低。因此，例如，当 用切削刀具切削半导体基板进行分割时，Low-k膜会从半导体基板剥离。对于该问题， 提出有在照射激光光线将Low-k膜的一部分去除之后再对半导体基板进行切削的加 工方法(例如，参照专利文献1)。

在该加工方法中，首先，从半导体基板的表面侧沿着间隔道照射激光光线，通过 蚀刻加工来将Low-k膜的一部分去除。然后，只要利用切削刀具对去除了Low-k膜 的区域进行切削，就能够在将Low-k膜的剥离的可能性抑制得较低的同时分割半导 体基板。

但是，存在在半导体基板的间隔道上配置被称作TEG(TestElementsGroup：测 试元件组)的测试用元件的情况。如果在该半导体基板的分割中应用上述加工方法， 则激光光线被TEG所包含的金属图案遮住，从而导致无法适当地将Low-k膜去除。 如果提高激光光线的输出，虽然能够去除Low-k膜，但在该情况下，碎屑容易飞散， 器件芯片的质量也会降低。

为了对该半导体基板进行分割，也可以考虑采用利用了等离子蚀刻的加工方法 (例如，参照专利文献2、3)。可是，在对由硅等材料构成的半导体基板进行加工的 等离子蚀刻中，无法将TEG所含有的金属图案适当地去除。

专利文献1：日本特开2003-320466号公报

专利文献2：日本特开2003-197569号公报

专利文献3：日本特开2004-172365号公报

发明内容

本发明是鉴于所述问题点而完成的，其目的在于提供能够将间隔道上的低介电常 数绝缘膜和金属图案适当地去除的加工方法。

根据本发明，提供一种加工方法，所述加工方法是在半导体基板的表面上层叠有 多个低介电常数绝缘膜和金属图案且在由形成为格子状的间隔道划分出的多个区域 中形成有器件的被加工物的加工方法，该加工方法的特征在于，所述加工方法包括： 遮掩工序，用表面保护部件覆盖在被加工物上形成的该器件的表面，使该间隔道露出； 湿式喷砂工序，使磨粒分散在溶解该金属图案的蚀刻液中并与压缩气体一起喷射到被 加工物上，由此将该间隔道上的低介电常数绝缘膜和该金属图案去除而使该半导体基 板露出；以及分割工序，对通过该湿式喷砂工序使得该半导体基板露出的被加工物实 施干蚀刻，沿着该间隔道来分割被加工物。

在本发明中，优选的是，该干蚀刻是使用了氟系气体的等离子蚀刻。

另外，在本发明中，优选的是，该表面保护部件是橡胶系树脂。

本发明的加工方法包括：遮掩工序，用表面保护部件覆盖器件的表面；和湿式喷 砂工序，使磨粒分散在溶解金属图案的蚀刻液中，并将其与压缩气体一起喷射在被加 工物上，因此，能够分别利用磨粒和蚀刻液将间隔道上的低介电常数绝缘膜和金属图 案适当地去除。

附图说明

图1的(A)是示意性地示出被加工物的结构例的立体图，图1的(B)是示意 性地示出被加工物的结构例的剖视图。

图2的(A)是示意性地示出遮掩工序后的被加工物的剖视图，图2的(B)是 示意性地示出湿式喷砂(wetblast)工序的剖视图。

图3是示意性地示出湿式喷砂工序的立体图。

图4的(A)是示意性地示出湿式喷砂工序后的被加工物的剖视图，图4的(B) 是示意性地示出分割工序后的被加工物的剖视图。

标号说明

11：被加工物；

13：半导体基板；

13a：上表面(正面)；

15：间隔道(分割预定线)；

17a：器件；