[发明专利]一种阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201510442417.8 | 申请日: | 2015-07-24 |
公开(公告)号: | CN105185786B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 刘国和;祝秀芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上制作开关阵列层,所述开关阵列层包括第一金属层、有源层、第二金属层;其中对所述第一金属层进行图形化处理形成多个栅极,对所述第二金属层进行图形化处理形成多个源极和多个漏极,所述有源层用于形成沟道;
在所述开关阵列层上形成色阻层,所述色阻层包括红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜,所述色阻层上形成有过孔;
在所述色阻层上形成透明导电层;以及
在所述透明导电层上形成遮光层;
在所述遮光层上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层防止高温制程中导致的所述遮光层或所述色阻层内材料挥发、气泡产生,其中所述第一绝缘层的厚度小于等于0.1微米。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述透明导电层上方的过孔内也填充有所述遮光层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述遮光层为黑色矩阵。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,
所述透明导电层通过所述过孔与所述第二金属层连接。
5.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
开关阵列层,位于所述衬底基板上,所述开关阵列层包括第一金属层、有源层、第二金属层;其中所述第一金属层包括多个栅极,所述第二金属层包括多个源极和多个漏极,所述有源层用于形成沟道;
色阻层,位于所述开关阵列层上,所述色阻层包括红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜,所述色阻层上形成有过孔;
透明导电层,位于所述色阻层上;以及
遮光层,位于所述透明导电层上;
第一绝缘层,设置在所述遮光层上,所述第一绝缘层防止高温制程中导致的所述遮光层或所述色阻层内材料挥发、气泡产生,其中所述第一绝缘层的厚度小于等于0.1微米。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
在所述透明导电层上方的过孔内也设置有所述遮光层。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述遮光层为黑色矩阵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的