[发明专利]低介电常数硅微粉的制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将长石族矿物磨碎至100目～300目，并用硫酸和氢氟酸的混合酸或盐酸和氢氟酸的混合酸酸浸一定的时间，以去除矿物中的非硅质元素，得到酸浸混合物；

S2，将所述酸浸混合物过滤获得酸浸残渣，即残留二氧化硅；

S3，将所述残留二氧化硅反复洗涤、压滤，直至洗涤后的水呈中性；

S4，将洗涤压滤后的二氧化硅在105～160度条件下烘干；

S5，将烘干后的二氧化硅在500～1200度条件下煅烧2～10个小时后，进行粉体分级去除小颗粒的处理；

S6，进一步粉碎分级去除大颗粒，得到粒度分布符合要求的粉体。

2.根据权利要求1所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于：所述S1中酸浸所用的硫酸或盐酸为稀释硫酸或稀释盐酸，所述氢氟酸为助剂酸。

3.根据权利要求1或2所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于，所述S1中酸浸的时间为24小时或以上。

4.根据权利要求1所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于：所述S5中煅烧的温度为600～900度，煅烧的时间为5小时。

5.根据权利要求1所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于：所述S5中的小颗粒为最大粒径D₁₀₀小于1微米的粉体。

6.根据权利要求1所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于：所述S6中的大颗粒为粒径D₁₀₀大于100微米的粉体。

7.根据权利要求1所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于：所述S6中粉体的最大粒径D₁₀₀小于100微米且粉体连续可调。

8.根据权利要求1所述的低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于：所述S5可替换为：将烘干后的粉体分级去除小颗粒后，在500～1200度条件下煅烧2～10个小时。