[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一单元块到第N单元块，其中，N是大于2的自然数；

第一位线感测放大器到第N-1位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K单元块的位线与第K+1单元块的位线之间的电势差放大，其中，K是从1到N-1的自然数；

一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点与第一单元块的位线之间的电势差放大，其中，一个或更多个第一最外位线感测放大器以第一驱动能力驱动第一节点以及以不同于第一驱动能力的第二驱动能力驱动第一单元块的位线；以及

一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点与第N单元块的位线之间的电势差放大，其中，一个或更多个第二最外位线感测放大器以第一驱动能力驱动第二节点以及以第二驱动能力驱动第N单元块的位线，

其中，第一最外位线感测放大器包括：

两个或更多个第一反相器，所述第一反相器具有耦接到第一节点的输入端子以及耦接到第一单元块的位线的输出端子；以及

一个或更多个第二反相器，所述第二反相器具有耦接到第一单元块的位线的输入端子以及耦接到第一节点的输出端子，其中，第一反相器的数量大于第二反相器的数量，以及

第二最外位线感测放大器包括：

两个或更多个第三反相器，所述第三反相器具有耦接到第二节点的输入端子以及耦接到第N单元块的位线的输出端子；以及

一个或更多个第四反相器，所述第四反相器具有耦接到第N单元块的位线的输入端子以及耦接到第二节点的输出端子，其中，第三反相器的数量大于第四反相器的数量。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一单元块到第N单元块具有开放式位线结构。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一单元块到第N单元块顺序地安置，

第K位线感测放大器安置在第K单元块与第K+1单元块之间，

第一最外位线感测放大器安置在第一位线感测放大器的基于第一单元块的对侧，以及

第二最外位线感测放大器安置在第N-1位线感测放大器的基于第N单元块的对侧。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一最外位线感测放大器响应于第一节点与第一单元块的位线之间的电势差而驱动第一节点和第一单元块的位线，以及

第二最外位线感测放大器响应于第二节点与第N单元块的位线之间的电势差而驱动第二节点和第N单元块的位线，其中，第二驱动能力大于第一驱动能力。

5.一种存储器件，包括：

第一单元块到第N单元块，其中，N是大于2的自然数；

第一位线感测放大器到第N-1位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K单元块的位线与第K+1单元块的位线之间的电势差放大，其中，K是从1到N-1的自然数；

一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点与第一单元块的位线之间的电势差放大，并包括用于驱动第一节点的一个或更多个第一反相器以及用于第一单元块的位线的一个或更多个第二反相器，其中，第一反相器的数量不同于第二反相器的数量；以及

一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点与第N单元块的位线之间的电势差放大，并包括用于驱动第二节点的一个或更多个第三反相器以及用于第N单元块的位线的一个或更多个第四反相器，其中，第三反相器的数量不同于第四反相器的数量。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第一单元块到第N单元块具有开放式位线结构。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第一单元块到第N单元块顺序地安置，

第K位线感测放大器安置在第K单元块与第K+1单元块之间，

第一最外位线感测放大器安置在第一位线感测放大器的基于第一单元块的对侧，以及

第二最外位线感测放大器安置在第N位线感测放大器的基于第N单元块的对侧。

8.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第一反相器的数量大于第二反相器的数量，以及第三反相器的数量大于第四反相器的数量。