[发明专利]一种多晶硅引晶方法在审
| 申请号： | 201510446358.1 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105088337A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 宋江;郭宽新 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅引晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅引晶方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）.在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；
（2）.把步骤（1）中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；
（3）.把经过步骤（2）处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的生产。
2.根据权利要求1所述的多晶硅引晶方法，其特征在于，所述步骤（1）种的引晶颗粒为硅颗粒、石英颗粒或碳化硅颗粒中一种，其颗粒大小控制在10目-30目。
3.根据权利要求1所述的多晶硅引晶方法，其特征在于，所述步骤（1）的引晶颗粒外包裹的氮化硅涂层厚度为10μm-100μm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅引晶方法，其特征在于，所述步骤（3）中铺设新的引晶颗粒密度为10mg/cm2-25mg/cm2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源（太仓）有限公司，未经奥特斯维能源（太仓）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510446358.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种降低多晶硅位错的铸锭方法
- 下一篇：一种TiAl合金准籽晶的制备方法
