[发明专利]一种多晶硅引晶方法在审

专利信息
申请号: 201510446358.1 申请日: 2015-07-27
公开(公告)号: CN105088337A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 宋江;郭宽新 申请(专利权)人: 奥特斯维能源(太仓)有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 张海英;林波
地址: 215434 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 硅引晶 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种多晶硅引晶方法。

背景技术

多晶硅太阳能电池是一种新型的环保能源,但多晶硅电池转换效率较低,生产成本较高,其中电池转换效率多是在硅晶片的生长过程中造成的。多晶硅的生长主要是通过硅料在多晶硅铸锭炉中的定向生长完成的,在生长过程中,引晶颗粒易与石英坩埚基体发生粘连,导致多晶硅铸锭产生较强的应力,并易引发裂纹。

发明内容

发明的目的在于提供一种多晶硅引晶方法。

为达此目的,发明采用以下技术方案:

一种多晶硅引晶方法,包括以下步骤:

(1).在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒;

(2).把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部;

(3).把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中,进行多晶硅的铸锭。

发明的有益效果:本发明在原有多晶硅铸锭的基础上,通过把引晶颗粒的外表面包裹一层氮化硅涂层,大大的改善了引晶颗粒与坩埚底部接触易发生粘连的问题。

具体实施方式

下面通过具体实施方式来进一步说明发明的技术方案。

一种多晶硅引晶方法,包括以下步骤:

(1).在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒;

(2).把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部;

(3).把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中,进行多晶硅的铸锭。

实施例1

本实施例中选用硅颗粒作为引晶颗粒,硅颗粒的大小为22目,把硅颗粒放入到氮化硅溶液中,放置一定的时间后取出烘干,硅颗粒外的氮化硅涂层厚度为50μm,包裹氮化硅涂层后的硅颗粒按照25mg/cm2均匀分布到坩埚底部。

采用包裹氮化硅涂层后的硅颗粒与普通硅颗粒分别进行铸锭,生产条件相同,即投料量均为850kg,硅料组成方案相同,铸锭工艺配方相同,铸锭炉台相同,对生产出的硅晶片以及粘连状况进行检测,检测结果对比如下:

通过对比发现,采用包裹氮化硅涂层后的硅颗粒作为新的引晶颗粒,生产出的硅晶体品质较高,引晶颗粒与坩埚的粘连问题得到很好的改善。

显然,发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明发明所作的举例,而并非是对发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在发明权利要求的保护范围之内。

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