[发明专利]高压金属氧化物半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种高压金属氧化物半导体HVMOS器件，包括：

第一栅极电介质层，所述第一栅极电介质层设置在所述HVMOS器件的沟道区上；以及

第二栅极电介质层，所述第二栅极电介质层设置在所述HVMOS器件的漂移区的至少一部分上，

所述第二栅极电介质层的厚度大于所述第一栅极电介质层的厚度。

2.根据权利要求1所述的HVMOS器件，还包括：

栅电极，所述栅电极设置在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层上。

3.根据权利要求1所述的HVMOS器件，还包括：

源区，所述源区邻近所述沟道区横向设置；

场氧化物FOX层，所述FOX层的至少一部分邻近所述漂移区横向设置；以及

漏极区，所述漏极区的至少一部分邻近所述FOX层横向设置。

4.根据权利要求3所述的HVMOS器件，其中所述第二栅极电介质层的至少一部分设置在所述FOX层上。

5.根据权利要求1所述的HVMOS器件，其中：

所述第一栅极电介质层的厚度小于或等于115埃；

所述第二栅极电介质层的厚度小于或等于560埃。

6.根据权利要求1所述的HVMOS器件，其中：

所述沟道区具有在0.1μm到1.0μm的范围内的横向宽度；以及

所述漂移区具有在0.2μm到3.0μm的范围内的横向宽度。

7.根据权利要求1所述的HVMOS器件，其中所述第二栅极电介质层的竖向边缘与所述沟道区横向隔开在0μm到1.0μm的范围内的距离。

8.一种高压金属氧化物半导体HVMOS器件，包括：

第一栅极电介质层，所述第一栅极电介质层设置在所述HVMOS器件的沟道区上；

第二栅极电介质层，所述第二栅极电介质层设置在所述HVMOS器件的漂移区的至少一部分上，其中所述漂移区邻近所述沟道区横向设置；以及

第三栅极电介质层，所述第三栅极电介质层设置在所述第二栅极电介质层的至少一部分上，

所述第二栅极电介质层的厚度大于所述第一栅极电介质层的厚度，所述第三栅极电介质层的厚度大于所述第二栅极电介质层的厚度。

9.根据权利要求8所述的HVMOS器件，还包括：

栅电极，所述栅电极设置在所述第一栅极电介质层、所述第二栅极电介质层和所述第三栅极电介质层上。

10.根据权利要求8所述的HVMOS器件，还包括：

源区，所述源区邻近所述沟道区横向设置；

场氧化物FOX层，所述FOX层的至少一部分邻近所述漂移区横向设置；以及

漏极区，所述漏极区的至少一部分邻近所述FOX层横向设置。

11.根据权利要求10所述的HVMOS器件，其中所述第二栅极电介质层的至少一部分和所述第三栅极电介质层的至少一部分设置在所述FOX层上。

12.根据权利要求8所述的HVMOS器件，其中：

所述第一栅极电介质层的厚度小于或等于115埃；

所述第二栅极电介质层的厚度小于或等于600埃；以及

所述第三栅极电介质层的厚度小于或等于2000埃。

13.根据权利要求8所述的HVMOS器件，其中：

所述沟道区具有在0.1μm到1.0μm的范围内的横向宽度；以及

所述漂移区具有在0.2μm到3.0μm的范围内的横向宽度。

14.根据权利要求8所述的HVMOS器件，其中：

所述第二栅极电介质层的竖向边缘与所述沟道区横向隔开在0μm到1.0μm的范围内的距离；以及

所述第三栅极电介质层的竖向边缘与所述第二栅极电介质层的所述竖向边缘横向隔开在0μm到1.0μm的范围内的距离。

15.根据权利要求8所述的HVMOS器件，其中所述第一栅极电介质层还设置在所述第二栅极电介质层的至少一部分下。

16.根据权利要求8所述的HVMOS器件，其中所述第二栅极电介质层和所述第三栅极电介质层的总厚度与所述第一栅极电介质层的所述厚度的比为20:1。