[发明专利]一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料及制备方法在审

专利信息
申请号: 201510447246.8 申请日: 2015-07-24
公开(公告)号: CN105084882A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 陈维兆;王步猛;朱云芳;陈申;吉燕芹 申请(专利权)人: 天长市中德电子有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 程笃庆;黄乐瑜
地址: 239300 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁导率 损耗 磁铁 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及高磁导率低损耗软磁铁氧体材料技术领域,尤其涉及一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料及制备方法。

背景技术

由于通讯设备向小型化、薄型化发展,要求其中的电子器件具有更高的性能,高磁导率低损耗软磁铁氧体材料应用在各种电子电路,但在很多电路中器件通常是在有直流的状态下工作,最典型的例子就是行输出变压器、平滑扼流圈以及枕校变压器,在有直流的状态下工作的高磁导率低损耗软磁铁氧体材料除必须保持良好的电磁特性外,且由于对材料特性的分类要求更加细化和专业化,希望高磁导率低损耗软磁铁氧体材料指标能达到:磁导率(25±3℃)7100-7400%,功率损耗(25±3℃)640-650,而目前所使用的材料无法保证符合此要求的产品。

发明内容

本发明提出了一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料及制备方法,制品具有高频、高磁导率、高电阻率、低损耗特性,且制备工艺简单,便于操作,其磁导率(25±3℃)7100-7400%,功率损耗(25±3℃)640-650。

本发明提出的一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料,其原料按重量份包括主成分100份,辅成分0.5-1份,助剂1-5份;

主成分的原料按摩尔份包括:Fe3O420-30份,NiO15-18份,ZnO10-13份,CuO2-4分,V2O56-8份,WO31-2份;

辅成分的原料按重量份包括:Bi2O31-2份,SiO20.5-1.5份,Nb2O51-3份,Ti2O31-4份,PtO22-5份,硼化铬1-2份;

助剂的原料按重量份包括:改性聚乙烯醇100份,聚乙烯醇5-10份,硫酸钡1-4份,硬脂酸镁1-2份,硬酯酸锌1-5份。

优选地,改性聚乙烯醇的制备原料包括:聚乙烯醇20-50份、马来酸酐0.5-1份、芳烃30-60份、冰乙酸0.02-0.08份、过氧化苯甲酰1-2份、环氧树脂0.5-2份;优选地,在制备改性聚乙烯醇的过程中,将聚乙烯醇、马来酸酐、芳烃、冰乙酸在回流温度下搅拌1-5h,降温至50-60℃,加入过氧化苯甲酰继续搅拌20-30min,加入环氧树脂继续搅拌5-20min,冷却过滤,洗涤,干燥得到改性聚乙烯醇。

优选地,在硼化铬的制备过程中,在惰性气氛的保护下,铬与硼粉加热至1200-1400℃,烧结80-85h,空冷至室温得到硼化铬;优选地,硼化铬中,CrB2的含量为20-30wt%,CrB的含量为20-40wt%,Cr3B2的含量为5-15wt%,其余为Cr3B4

优选地,主成分、辅成分及助剂的重量比为100:0.6-0.8:2-4。

优选地,主成分的原料按摩尔份包括:Fe3O424-26份,NiO16-16.4份,ZnO11-12份,CuO3-3.6分,V2O57-7.6份,WO31.2-1.4份。

优选地,辅成分的原料按重量份包括:Bi2O31.5-1.8份,SiO20.8-1.2份,Nb2O52-2.4份,Ti2O32-2.6份,PtO23-3.6份。

优选地,助剂的原料按重量份包括:改性聚乙烯醇100份,聚乙烯醇6-8份,硫酸钡2-2.6份,硬脂酸镁1.4-1.8份,硬酯酸锌2-4份。

优选地,在改性聚乙烯醇中,聚乙烯醇、马来酸酐及环氧树脂的重量比为30-46:0.6-0.8:1-1.6。

本发明提出的一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料的制备工艺,包括如下步骤:

S1、将主成分的原料混合均匀得到第一物料,将辅成分的原料混合均匀得到第二物料,将第一物料与第二物料依次送入搅拌器中进行搅拌,搅拌速度为400-500r/min,搅拌时间为20-40min得到预混料;

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