[发明专利]气动传感器有效
申请号: | 201510450474.0 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN105203139B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 林同福;孙利佳;刁海丰;钟强;赵豪;徐传毅 | 申请(专利权)人: | 纳智源科技(唐山)有限责任公司 |
主分类号: | G01D5/42 | 分类号: | G01D5/42 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙)11276 | 代理人: | 宋菲,刘云贵 |
地址: | 063000 河北省唐山市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气动 传感器 | ||
1.一种气动传感器,具有进气口和出气口,其特征在于,包括:第一摩擦部件、壳体、第二摩擦部件和第三摩擦部件;其中,
所述壳体具有预设形状的中空结构以形成气流通道,所述气流通道与所述进气口和所述出气口连通,以使气流通过所述进气口进入所述气流通道并通过所述出气口流出;其中,所述中空结构靠近所述进气口一侧的纵向截面面积大于或小于靠近所述出气口一侧的纵向截面面积;
所述第一摩擦部件设置在所述气流通道内,所述第二摩擦部件和所述第三摩擦部件设置在能与所述第一摩擦部件接触的位置;
当气流通过所述进气口进入所述气流通道时,所述第一摩擦部件因气流作用分别与所述第二摩擦部件和/或所述第三摩擦部件摩擦并产生电信号,所述第二摩擦部件和所述第三摩擦部件包括所述气动传感器的电信号输出端。
2.根据权利要求1所述的气动传感器,其特征在于,所述中空结构在所述壳体的顶部具有上开口,在所述壳体的底部具有下开口;
所述第二摩擦部件部分覆盖所述上开口形成所述进气口,所述第三摩擦部件部分覆盖所述下开口形成所述出气口。
3.根据权利要求1所述的气动传感器,其特征在于,所述中空结构在所述壳体的顶部具有上开口,在所述壳体的底部具有下开口;
所述进气口开设在所述壳体的外壁和顶部交界的第一区域,所述出气口开设在所述壳体的外壁和底部交界的第二区域;
所述第二摩擦部件部分覆盖所述上开口且未覆盖所述进气口;所述第三摩擦部件部分覆盖所述下开口且未覆盖所述出气口。
4.根据权利要求1所述的气动传感器,其特征在于,所述气动传感器还包括:位于壳体顶部的上盖体和位于壳体底部的下盖体;所述上盖体覆盖所述第二摩擦部件;所述下盖体覆盖所述第三摩擦部件。
5.根据权利要求1所述的气动传感器,其特征在于,所述第一摩擦部件具有固定部和摩擦部;所述固定部与所述壳体固定连接;所述摩擦部与所述第二摩擦部件和/或所述第三摩擦部件摩擦。
6.根据权利要求5所述的气动传感器,其特征在于,所述气动传感器还包括:固定件;所述壳体上开设有凹槽;所述固定件与所述第一摩擦部件的固定部连接后嵌入到所述凹槽中。
7.根据权利要求1所述的气动传感器,其特征在于,所述气流在所述气流通道内流动的方向与所述第一摩擦部件所在平面平行、垂直或成预设角度。
8.根据权利要求1或7所述的气动传感器,其特征在于,所述中空结构的横向截面为一字形的结构,所述进气口和所述出气口分别位于中空结构两端的顶部和底部。
9.根据权利要求1或7所述的气动传感器,其特征在于,所述中空结构的横向截面为X形的结构,所述进气口和所述出气口位于中空结构的对角位置。
10.根据权利要求1或7所述的气动传感器,其特征在于,所述中空结构的横向截面为十字形的结构,所述进气口和所述出气口位于中空结构的对角位置。
11.根据权利要求1-6任一项所述的气动传感器,其特征在于,所述气流通道包括:第一气流通道和第二气流通道;所述第二气流通道的横向截面面积大于所述第一气流通道的横向截面面积;所述第一摩擦部件设置在所述第一气流通道和所述第二气流通道的交界处。
12.根据权利要求1所述的气动传感器,其特征在于,所述第一摩擦部件包括第一高分子聚合物层;所述第二摩擦部件包括第一电极;所述第三摩擦部件包括第二电极;
当所述气流通过所述进气口进入所述气流通道时,所述第一高分子聚合物层与所述第一电极和/或所述第二电极摩擦;所述第一高分子聚合物层与所述第一电极相对的两个面和/或所述第一高分子聚合物层与所述第二电极相对的两个面构成摩擦界面;所述第一电极和所述第二电极为所述气动传感器的电信号输出端。
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