[发明专利]膜形成装置及膜形成方法

权利要求书

1.一种膜形成装置，其具有：

载物台，用于保持基板；

喷嘴头，与保持于所述载物台的所述基板对置，并朝向所述基板吐出经液滴化的膜材料；

移动机构，使保持于所述载物台的所述基板和所述喷嘴头中的一个相对于另一个移动；

其特征在于，还具有：

存储装置，存储待形成膜的图像数据及膜厚补正信息；

控制装置，根据所述图像数据控制所述喷嘴头及所述移动机构，由此在所述基板形成具有所述图像数据所定义的图案的膜；及

输入装置，用于向所述控制装置输入数据，

若从所述输入装置输入有膜厚指令值，则所述控制装置根据所述膜厚补正信息补正所述膜厚指令值，由此计算比所述膜厚指令值厚的膜厚目标值，

并且所述控制装置控制所述喷嘴头及所述移动机构，以形成相当于所述膜厚目标值厚度的膜。

2.根据权利要求1所述的膜形成装置，其还具有：

等离子体处理装置，对所述基板实施等离子体处理，从而去除形成于所述基板上的膜的表层部；及

输送装置，将保持于所述载物台的膜形成后的所述基板搬入到所述等离子体处理装置中，

所述控制装置控制所述输送装置，从而将膜形成后的所述基板搬入到所述等离子体处理装置中，

所述膜厚补正信息被定义为根据在所述等离子体处理装置中所述膜的表层部的被去除厚度设定从所述膜厚指令值到所述膜厚目标值的增量。

3.根据权利要求2所述的膜形成装置，其中，

所述等离子体处理装置对所搬入的所述基板的整个表面实施等离子体处理。

4.根据权利要求2或3所述的膜形成装置，其中，

所述膜厚补正信息被定义为从所述膜厚指令值到所述膜厚目标值的增量在1μm～3μm范围内。

5.根据权利要求2或3所述的膜形成装置，其中，

在所述等离子体处理装置中进行利用等离子体的还原处理。

6.根据权利要求4所述的膜形成装置，其中，在所述等离子体处理装置中进行利用等离子体的还原处理。

7.一种膜形成方法，其具有如下工序：

根据图像数据、膜厚补正信息和膜厚指令值从喷嘴头朝向基板吐出膜材料的液滴，由此形成具有所述图像数据所定义的图案的膜，所述膜具有根据所述膜厚补正信息补正所述膜厚指令值而得到的比所述膜厚指令值厚的厚度；及

对形成有所述膜的所述基板的整个区域进行等离子体处理，由此去除附着于不必要区域的所述膜材料。