[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤：

制备具有主表面(10a)的碳化硅衬底(10)；以及

在所述碳化硅衬底(10)的所述主表面(10a)上形成栅极绝缘膜(15)，

当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述碳化硅衬底(10)包括第一单元区(CL1)和第二单元区(CL2)，所述第一单元区(CL1)和所述第二单元区(CL2)每个都具有多边形的外形并且共享所述多边形的一个边(M12)，

所述第一单元区(CL1)具有第一源极区(14a)、第一体区(13a1)和第一漂移区(12a1)，所述第一源极区(14a)具有第一导电类型，所述第一体区(13a1)包围所述第一源极区(14a)，所述第一体区(13a1)具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述第一体区(13a1)具有所述多边形的外形，所述第一漂移区(12a1)具有所述第一导电类型，所述第一漂移区(12a1)通过所述第一体区(13a1)与所述第一源极区(14a)分开，

所述第二单元区(CL2)具有第二源极区(14b)、第二体区(13b1)和第二漂移区(12b1)，所述第二源极区(14b)具有所述第一导电类型，所述第二体区(13b1)包围所述第二源极区(14b)，所述第二体区(13b1)具有所述第二导电类型，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述第二体区(13b1)具有所述多边形的外形，所述第二漂移区(12b1)具有所述第一导电类型，所述第二漂移区(12b1)通过所述第二体区(13b1)与所述第二源极区(14b)分开，所述第二漂移区(12b1)在所述多边形的所述一个边处被连接到所述第一漂移区(12a1)，

当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述碳化硅衬底(10)具有连接区(17)，所述连接区(17)被设置为包括所述一个边的端部(C0)、所述第一体区(13a1)的最靠近所述端部的顶点(C1)和所述第二体区(13b1)的最靠近所述端部的顶点(C2)，所述连接区(17)被电连接到所述第一体区(13a1)和所述第二体区(13b1)两者，所述连接区(17)具有所述第二导电类型，

当在平行于所述主表面(10a)的方向上看时，所述第一漂移区(12a1)和所述第二漂移区(12b1)被设置在所述栅极绝缘膜(15)和所述连接区(17)之间，

在形成所述栅极绝缘膜(15)的步骤中，所述栅极绝缘膜(15)与所述第一源极区(14a)、所述第一体区(13a1)、所述第一漂移区(12a1)、所述第二源极区(14b)、所述第二体区(13b1)和所述第二漂移区(12b1)相接触地形成在所述主表面(10a)上，

所述连接区(17)、所述第一体区(13a1)和所述第二体区(13b1)通过离子注入形成。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件(1)的方法，其中，所述第一漂移区(12a1)和所述第二漂移区(12b1)两者通过外延生长来形成。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的制造碳化硅半导体器件(1)的方法，其中

当从所述连接区(17)看时，所述碳化硅衬底(10)进一步包括下漂移区(12a3、12b3)，所述下漂移区(12a3、12b3)被定位成与所述第一漂移区(12a1)和所述第二漂移区(12b1)相反，并且被电连接到所述第一漂移区(12a1)和所述第二漂移区(12b1)两者，并且

所述第一漂移区(12a1)、所述第二漂移区(12b1)和所述下漂移区(12a3、12b3)在同一外延层形成步骤中形成。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的制造碳化硅半导体器件(1)的方法，其中，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述连接区(17)具有与多边形的外形一致的形状。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的制造碳化硅半导体器件(1)的方法，其中，所述第一漂移区(12a1)和所述第二漂移区(12b1)中的每一个具有不大于1×10¹⁶cm^-3的杂质浓度。