[发明专利]基板的处理装置及处理方法

说明书

本申请是申请日为2012年12月26日，申请号为201210574314.3，发明创造名称为“基板的处理装置及处理方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及使用蚀刻液对半导体晶片等基板的板面进行蚀刻的基板的处理装置及处理方法。

背景技术

例如，在半导体装置的制造工序中，已知有使用蚀刻液除去半导体晶片的表面上所形成的氧化膜、氮化膜或铝膜等的蚀刻工序。

在通过蚀刻液除去半导体晶片的表面上所形成的膜的情况下，为了使其膜厚成为所设定的厚度，以往通过以预先设定的时间来进行蚀刻加工、或者一边用膜厚传感器检测上述半导体晶片的厚度一边进行蚀刻加工，来将上述半导体晶片蚀刻加工到所希望的厚度。

而且，根据后工序中的处理，有时需要在外周部形成肋形状等、制造有底筒状的半导体晶片。为了在外周部形成肋形状，通过研磨机等对半导体晶片的中心侧进行磨削加工，从而除去除了外周部之外的部分。另外，在磨削加工后，为了除去应力而进行湿蚀刻。

专利文献1：日本特开2002-319562号公报

但是，存在在上述半导体晶片上所形成的膜的表面附着有无法通过通常使用的蚀刻液来蚀刻的有机物的情况，在这样的情况下，有时有机物的膜成为掩模而使蚀刻无法进展。

另外，上述半导体晶片在被输送到蚀刻工序的前工序中，有时例如通过CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械抛光)进行镜面加工。进行了镜面加工的半导体晶片的面、即镜面成为蚀刻液难以作用的状态。因此，在这样的情况下也是，有时基于蚀刻液的蚀刻也无法进展。

而且，当由于上述理由等而使半导体晶片的蚀刻无法进展时，不能够将上述半导体晶片蚀刻加工成所希望的厚度。

而且，在通过磨削加工将中心侧磨削的情况下，需要在半导体晶片的背面粘附粘着带，所以在磨削加工前后需要粘贴、剥离粘着带的工序。另外，作为追加工序而需要上述的应力除去工序或清洗工序而使工序复杂化，因此存在生产率降低等问题。另外，虽然磨削加工的加工效率高，但有时使半导体晶片产生裂纹，所以也存在不能够使加工速度为一定以上的问题。

发明内容

本发明提供一种即使在基板的板面上形成有有机物的膜或上述板面为镜面等的情况下也能够通过蚀刻液将上述基板可靠地蚀刻到所希望的厚度的基板的处理装置及处理方法。

而且，本发明提供一种在制造具有外周肋形状的半导体晶片时能够通过不使用磨削工序来减少处理工序、通过将工序简单化来实现生产率提高的基板的处理装置及处理方法。

本发明为基板的处理装置，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：蚀刻液供给机构，对上述基板的板面供给蚀刻液；厚度检测机构，检测由上述蚀刻液蚀刻的上述基板的厚度；控制机构，在由该厚度检测机构检测出的上述基板的厚度为异常时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断；以及加工机构，在基于上述蚀刻液的蚀刻中断时，将上述基板的板面加工成粗糙面。

本发明为基板的处理方法，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：对上述基板的板面供给蚀刻液的工序；在基于上述蚀刻的上述基板的厚度变化为异常时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断的工序；以及在中断了上述蚀刻时，将上述基板的板面加工成粗糙面后再次开始蚀刻的工序。

发明效果

根据本发明，通过判断蚀刻时的基板厚度是否变化，判断基板是否被蚀刻，在没有进行蚀刻的情况下，中断蚀刻，在将上述基板的板面加工成粗糙面后再次开始蚀刻。

因此，通过将上述基板的板面加工成粗糙面，能够除去作为阻碍基板的蚀刻进展的原因的、例如在基板的板面上形成的有机物的膜，能够使蚀刻液难以作用的镜面的状态成为容易作用的粗糙面，所以能够将上述基板可靠地蚀刻到所希望的厚度。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的自旋处理装置的概略图。

图2是图1所示的自旋处理装置的俯视图。

图3是蚀刻液、清洗液及加压系统的配管系统图。

图4是对图3所示的配管系统图中所设置的第一至第三开闭阀进行控制的控制装置的结构图。

图5是表示蚀刻时的半导体晶片的厚度变化与时间的关系的曲线图。

图6A是表示被蚀刻的面为镜面的半导体晶片的一部分的放大图。

图6B是表示被蚀刻的面从镜面被加工成粗糙面的半导体晶片的一部分的放大图。

图7A是示意性地示出使用本发明的第二实施方式涉及的自旋处理装置进行处理的处理中的半导体晶片的纵剖视图。