[发明专利]存储装置和操作存储系统的方法有效

专利信息
申请号: 201510451618.4 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN105304114B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 朴贤国;李永宅;边大锡;尹治元 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 操作 存储系统 方法
【权利要求书】:

1.一种操作存储系统的方法,所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到字线的存储单元,所述方法包括下述步骤:

将在存储单元阵列中共同连接到字线的存储单元划分为第一单元区域和第二单元区域,其中,共同连接到字线的存储单元指示连接到同一字线的存储单元;

利用从多个读取参考选择的第一读取参考来对设置在第一单元区域中的存储单元执行第一读取操作;以及

利用从多个读取参考选择的第二读取参考来对设置在第二单元区域中的存储单元执行第二读取操作,

其中,对应于第一单元区域的第一读取参考不同于对应于第二单元区域的第二读取参考,

其中,所述方法还包括:

在执行第一读取操作和执行第二读取操作之前,通过正常读取参考对存储单元执行正常读取操作,

其中,执行第一读取操作和执行第二读取操作是在正常读取操作之后对存储单元执行的读取重试操作的一部分。

2.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括:

确定通过正常读取操作返回的读取数据中的错误的数量,

其中,仅当读取数据中的错误的数量超过临界值时,执行读取重试操作。

3.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括:

在连接到存储单元的页缓冲器中存储通过第一读取操作和第二读取操作中的每个来返回的读取数据,

其中,设置在第一单元区域和第二单元区域中的每个单元区域中的存储单元的数量小于页缓冲器的大小。

4.如权利要求1所述的方法,其中,针对第一单元区域和第二单元区域中的各个位线来不同地确定所述多个读取参考中的每个读取参考,位线与字线交叉。

5.如权利要求4所述的方法,所述方法还包括:

根据所述多个读取参考中的每个读取参考来设置不同的读取条件,

其中,每个读取条件的设置包括限定施加到与位线连接的读取电路的电压、电流和控制信号中的至少一种。

6.如权利要求5所述的方法,其中,所述电压包括读取电压、预充电电压、钳位电压和参考电压中的至少一种,

所述电流包括参考电流,以及

控制信号包括预充电使能信号和感测放大器使能信号中的至少一种。

7.如权利要求1所述的方法,其中,同时执行第一读取操作和第二读取操作。

8.如权利要求1所述的方法,其中,顺序地执行第一读取操作和第二读取操作。

9.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括:

基于来自第一单元区域和第二单元区域的读取数据来调整所述多个读取参考。

10.如权利要求9所述的方法,所述方法还包括:

利用经调整的所述多个读取参考中的一个来对设置在第一单元区域中的存储单元执行第一读取重试操作;

利用经调整的所述多个读取参考中的另一个来对设置在第二单元区域中的存储单元执行第二读取重试操作;以及

确定通过读取重试操作返回的读取数据中的错误的数量是否超过临界值。

11.如权利要求1所述的方法,其中,根据纠错码单元来执行将存储单元划分为第一单元区域和第二单元区域的步骤。

12.如权利要求1所述的方法,其中,将存储单元划分为第一单元区域和第二单元区域的步骤包括根据物理地址或逻辑地址来划分存储单元。

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