[发明专利]存储装置和操作存储系统的方法

说明书

提供了一种操作存储系统的方法和一种存储装置，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。

本申请要求于2014年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0096016号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的主题通过引用包含于此。

技术领域

发明构思总体上涉及存储装置、存储系统及操作其的方法。更具体地，发明构思涉及执行读取重试操作的存储装置、执行读取重试操作的存储系统及操作其的方法。

背景技术

根据对存储装置的高容量和低功耗的需求，正在对下一代存储装置进行研究。下一代存储装置需要具有动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度特性、闪存的非易失性特性和静态RAM(SRAM)的高速度。作为下一代存储装置，相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)和电阻式RAM(RRAM)正备受关注。

发明内容

根据发明构思的一个方面，提供了一种操作存储系统的方法，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元。所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。

根据发明构思的一个方面，提供了一种操作存储系统的方法，所述存储系统包括存储控制器和存储装置，所述存储装置包括在存储单元阵列中设置在第一信号线和第二信号线分别交叉的区域中的多个存储单元，所述多个存储单元被设置在多个单元区域中。所述方法包括：针对从所述多个存储单元选择的目标存储单元，将正常读取命令从存储控制器传送到存储装置；针对目标存储单元执行正常读取操作，并将正常读取结果数据存储在与第二信号线连接的页缓冲器中；确定分别与所述多个单元区域中的每个单元区域对应的不同的读取参考；以及如果正常读取结果数据中错误的数量超过了临界值，则将读取重试命令以及限定所述不同的读取参考的信息一起传送到存储装置，并对目标存储单元执行读取重试操作。

根据发明构思的一个方面，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，包括设置在多条第一信号线与多条第二信号线彼此交叉的区域中的多个存储单元；写入/读取电路，被配置成对从所述多个存储单元中选择的存储单元执行写入操作和读取操作，并包括临时存储读取数据的页缓冲器；以及控制逻辑器，被配置成在读取重试部分中通过利用分别与多个单元区域对应的多个不同的读取参考来控制对被选择的存储单元的读取操作，所述多个单元区域是从被选择的存储单元划分而来的。

附图说明

将结合附图来描述发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据发明构思的实施例的存储系统的框图；

图2是进一步示出在一个示例中图1的存储装置100的框图；

图3是进一步示出在一个示例中图2的存储单元阵列110的电路图；

图4是示出可以被包括在图3的存储单元MC中的可变电阻器装置的一个示例的视图；

图5A、图5B、图5C和图5D是示出图4的存储单元的示例的各个电路图；

图6A是示出单级存储单元根据电阻的分布的曲线图，图6B是示出多级存储单元根据电阻的分布的曲线图；

图7是进一步示出在一个示例中图1的存储控制器200的框图；

图8示出了波形图，该波形图示出了与在图2的存储单元阵列中执行读取操作所需要的时间相关的感测节点处的电压；