[发明专利]一种防短路的顶发射OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种防短路的顶发射OLED器件，其包括衬底以及在所述衬底上由底部至顶部依次蒸镀的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于：

所述阳极为具有双层结构的铝/银复合阳极，其中铝层介于所述衬底和银层之间，所述铝层的厚度为56nm并且以0.3~0.5nm/s的蒸发速率经蒸镀而得，所述银层的厚度为44nm并且以0.2~0.3nm/s的蒸发速率经蒸镀而得；

所述空穴注入层的厚度为5~15nm；

所述空穴传输层的厚度为35~45nm；

所述发光层的厚度为15~25nm；

所述电子传输层的厚度为10~15nm；

所述电子注入层的厚度为10~20nm；

所述阴极为半透明的纯银阴极，其厚度为15~25nm。

2.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述空穴注入层的厚度为10nm；

所述空穴传输层的厚度为40nm；

所述发光层的厚度为20nm；

所述电子传输层的厚度为10nm；

所述电子注入层的厚度为15nm；

所述阴极的厚度为20nm。

3.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述衬底选自硅片、玻璃中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：所述衬底为玻璃。

5.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述空穴注入层的材料为稀土金属氧化物或者有机材料；所述稀土金属氧化物选自氧化钼、氧化铼、氧化钨中的任意一种；所述有机材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺、4,4',4''-三[N-(萘-2-基)-N-苯基氨基]三苯基胺中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：所述稀土金属氧化物为氧化钼；所述有机材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。

7.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(萘-1-基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4'-二(咔唑-9-基)联苯中的任意一种。

8.根据权利要求7所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：所述空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(萘-1-基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。

9.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述发光层的材料为三(8-羟基喹啉)铝或其与(E)-4-二氰基亚甲基-2-叔丁基-6-[2-(l,l,7,7-四甲基久洛尼定-9-基）乙烯基]-4H-吡喃的掺合物。

10.根据权利要求9所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：所述发光层的材料为三(8-羟基喹啉)铝。

11.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的任意一种。

12.根据权利要求11所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉。

13.根据权利要求1所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：

所述电子注入层的材料为所述电子传输层的材料与锂的掺合物，其中锂的质量浓度为2%~3%。

14.根据权利要求13所述的防短路的顶发射OLED器件，其特征在于：所述电子注入层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉与锂的掺合物。