[发明专利]半导体存储器件的字线驱动器电路有效

专利信息
申请号: 201510454857.5 申请日: 2015-07-29
公开(公告)号: CN105719684B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 池性洙 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 驱动器 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件的字线驱动器电路,包括:

第一有源区;

第二有源区,在第一方向上与第一有源区间隔开,并在基本上垂直于第一方向的第二方向上与第一有源区间隔开;

第一接触,形成在第一有源区和第二有源区中的每个的两端;

第二接触,在第一有源区和第二有源区中形成在第一接触之间;以及

栅极区,沿直线位于形成在第一有源区的第二端上的第一接触与形成在第一有源区中的第二接触之间,以及位于形成在第二有源区的第一端上的第一接触与形成在第二有源区中的第二接触之间,逆时针围绕形成在第一有源区中的第二接触的部分,并顺时针围绕形成在第二有源区中的第二接触的部分。

2.如权利要求1所述的字线驱动器电路,其中,栅极区具有以下结构:形成在第一有源区中的第二接触的第一侧以及形成在第二有源区中的第二接触的第二侧是敞开的,并且栅极区以特定水平的间隙邻近于第二接触。

3.如权利要求1所述的字线驱动器电路,其中,第二有源区在与第一有源区相同的平面上、在第二方向上位于第一有源区的下面。

4.如权利要求1所述的字线驱动器电路,还包括:

第一金属线,与第一有源区和第二有源区交叉,第一金属线包括突出区,突出区从在与第二方向相反的方向上的一侧突出且结合至形成在第一有源区中的第二接触;以及

第二金属线,与第一有源区和第二有源区交叉并包括突出区,突出区从在第二方向上的一侧突出且结合至形成在第二有源区中的第二接触。

5.如权利要求4所述的字线驱动器电路,其中,第一金属线和第二金属线中的每个在除结合至第二接触的突出区以外的剩余区域中保持恒定宽度。

6.如权利要求1所述的字线驱动器电路,其中,

形成在第一有源区中的第二接触与形成在第二有源区的第一端上的第一接触位于同一直线上,以及

形成在第二有源区中的第二接触与形成在第一有源区的第二端上的第一接触位于同一直线上。

7.如权利要求1所述的字线驱动器电路,其中,

第一接触包括电结合至源极区的源极接触,以及

第二接触包括电结合至漏极区的漏极接触。

8.一种半导体存储器件的字线驱动器电路,包括:

第一有源区;

第二有源区,在第一方向上以第一间隔与第一有源区间隔开,并在基本上垂直于第一方向的第二方向上与第一有源区间隔开;

第三有源区,在第一方向上以第二间隔与第二有源区间隔开;

第四有源区,在第一方向上以第三间隔与第三有源区间隔开,并在第二方向上与第三有源区间隔开;

第一接触,形成在第一有源区至第四有源区的两侧的端部处;

第二接触,在第一有源区至第四有源区中形成在第一接触之间;

第一栅极区,沿直线贯穿在形成在第一有源区的第二端上的第一接触与形成在第一有源区中的第二接触之间,以及在形成在第二有源区的第一端上的第一接触与形成在第二有源区中的第二接触之间,逆时针围绕形成在第一有源区中的第二接触的部分,并顺时针围绕形成在第二有源区中的第二接触的部分;以及

第二栅极区,沿直线位于形成在第三有源区的第二端上的第一接触与形成在第三有源区中的第二接触之间,以及位于形成在第四有源区的第一端上的第一接触与形成在第四有源区中的第二接触之间,逆时针围绕形成在第三有源区中的第二接触的部分,并顺时针围绕形成在第四有源区中的第二接触的部分,

其中,第一栅极区与第二栅极区部分地重叠。

9.如权利要求8所述的字线驱动器电路,其中,第一栅极区与第二栅极区在第二有源区和第三有源区之间部分地重叠。

10.如权利要求8所述的字线驱动器电路,其中,第一栅极区具有以下结构:形成在第一有源区中的第二接触的第一侧以及形成在第二有源区中的第二接触的第二侧是敞开的,并且第一栅极区以特定水平的间隙邻近于第二接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510454857.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top