[发明专利]操作存储装置的方法和操作存储系统的方法有效
申请号: | 201510455794.5 | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN105320471B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 朴贤国;吴荣训;边大锡;李镕圭;权孝珍 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 操作 存储 装置 方法 存储系统 | ||
1.一种操作存储装置的方法,所述方法包括:
开始读取重试模式;
在一个再读取循环中读取多个单元区域的数据一次,其中,分别用于读取每个单元区域的数据的读取条件彼此不同;以及
根据针对从所述多个单元区域读取的数据的数据确定操作的结果,针对所述多个单元区域设置最终读取条件。
2.如权利要求1所述的方法,其中,当在通过正常读取操作从所述多个单元区域读取的数据中发生的错误的数量大于阈值时,开始读取重试模式。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个单元区域的数据被同时读取并且同时存储在页缓冲器中。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个单元区域的数据被顺序地读取并且顺序地存储在页缓冲器中。
5.如权利要求1所述的方法,其中,数据确定操作的结果预测所述多个单元区域的电阻大小分布的谷,
其中,将对应于预测的谷的读取条件设置为最终读取条件。
6.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括通过共同地利用最终读取条件来读取所述多个单元区域的数据,
其中,当在利用最终读取条件读取的数据中发生的错误的数量大于阈值时,所述方法还包括利用不同的读取条件针对所述多个单元区域重复地执行读取操作以及根据针对读取的数据的数据确定操作的结果设置最终读取条件。
7.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括通过共同利用最终读取条件读取所述多个单元区域的数据,
其中,当在利用最终读取条件读取的数据中发生的错误的数量等于或小于阈值时,所述方法还包括结束读取重试模式。
8.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个单元区域包括第一单元区域和第二单元区域,分别从第一单元区域和第二单元区域读取的第一数据和第二数据存储在页缓冲器中,
其中,基于第一读取条件从第一单元区域读取第一数据,基于第二读取条件从第二单元区域读取第二数据。
9.如权利要求8所述的方法,其中,每个读取条件包括具有在读取数据中能够使用的钳位信号、预充电电压、预充电使能信号、参考电压、参考电流和感测使能信号的因素中的至少一种,
其中,第一读取条件和第二读取条件彼此不同之处在于包括钳位信号、预充电电压、预充电使能信号、参考电压、参考电流和感测使能信号的因素中的至少一种。
10.如权利要求8所述的方法,其中,第一单元区域和第二单元区域中的每个对应于纠错码单元。
11.一种操作包括存储单元阵列的存储系统的方法,存储单元阵列包括具有第一单元区域和第二单元区域的至少一个页,所述方法包括:
根据对从所述至少一个页读取的数据执行的检错结果,开始读取重试模式;
在页缓冲器中存储基于第一读取条件从第一单元区域读取的第一数据;
在页缓冲器中存储基于与第一读取条件不同的第二读取条件从第二单元区域读取的第二数据;以及
基于存储在页缓冲器中的第一数据和第二数据中的每个数据的电阻大小分布的分析结果来设置最终读取条件,
其中,在一个再读取循环中分别利用第一读取条件和与第一读取条件不同的第二读取条件来读取第一数据和第二数据一次。
12.如权利要求11所述的方法,所述方法还包括,
基于最终读取条件从第一单元区域和第二单元区域中的每个读取数据;以及
结束读取重试模式。
13.如权利要求11所述的方法,其中,设置最终读取条件的步骤包括将第一读取条件和第二读取条件之中的读取条件设置为最终读取条件,其中,所述读取条件使数据错误的发生最小化。
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