[发明专利]操作存储装置的方法和操作存储系统的方法

说明书

提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。

要求于2014年7月29日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0096768号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种存储装置，更具体地讲，涉及执行读取重试操作的存储装置和存储系统以及操作该存储装置的方法。

背景技术

响应于对高容量和低功耗存储装置的需求，正在对非易失性的并且不需要刷新操作的下一代存储装置进行研究。下一代存储装置通常需要动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度特性、闪存的非易失性特性和静态RAM(SRAM)的高速度。作为下一代存储装置，相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)和电阻式RAM(RRAM)正备受关注。

发明内容

根据发明构思的一个方面，提供了一种操作存储装置的方法。所述方法包括开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。

当在通过正常读取操作从单元区域读取的数据中发生的错误的数量大于阈值时，可以开始读取重试模式。

单元区域的数据可以被同时读取并且同时存储在页缓冲器中。此外，单元区域的数据可以被顺序地读取并且顺序地存储在页缓冲器中。

数据确定操作的结果可以预测单元区域的电阻大小分布的谷。可以将对应于预测的谷的读取条件设置为最终读取条件。

操作存储装置的方法还可以包括通过共同地利用最终读取条件来读取单元区域的数据。当在利用最终读取条件读取的数据中发生的错误的数量大于阈值时，所述方法还可以包括利用不同的读取条件针对单元区域重复地执行读取操作以及根据针对读取的数据的数据确定操作的结果设置最终读取条件。

操作存储装置的方法还可以包括通过共同利用最终读取条件读取单元区域的数据。当在利用最终读取条件读取的数据中发生的错误的数量等于或小于阈值时，所述方法还可以包括结束读取重试模式。

单元区域可以包括第一单元区域和第二单元区域。分别从第一单元区域和第二单元区域读取的第一数据和第二数据可以存储在页缓冲器中。可以基于第一读取条件从第一单元区域读取第一数据，可以基于第二读取条件从第二单元区域读取第二数据。

每个读取条件包括具有在读取数据中可用的钳位信号、预充电电压、预充电使能信号、参考电压、参考电流和感测使能信号的因素中的至少一种。第一读取条件和第二读取条件可以在包括钳位信号、预充电电压、预充电使能信号、参考电压、参考电流和感测使能信号的因素中的至少一种方面彼此不同。

第一单元区域和第二单元区域中的每个可以对应于纠错码(ECC)单元。

根据发明构思的另一方面，提供了一种操作包括存储单元阵列的存储系统的方法，存储单元阵列包括具有第一单元区域和第二单元区域的至少一个页。所述方法包括：根据对从所述至少一个页读取的数据执行的检错结果，开始读取重试模式；在页缓冲器中存储基于第一读取条件从第一单元区域读取的第一数据；在页缓冲器中存储基于与第一读取条件不同的第二读取条件从第二单元区域读取的第二数据；以及基于存储在页缓冲器中的第一数据和第二数据中的每个数据的电阻大小分布的分析结果来设置最终读取条件。