[发明专利]一种双通道滤波器

权利要求书

1.本发明公开一种双通道滤光片及其制作方法，其特征是：以玻璃为基板，表面的质量优于60/40；镀膜材料为SiO2和TiO2；膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜，第一膜系为38层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm；第二膜系为36层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、 TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、 TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。

2.本发明公开一种双通道滤光片及其制作方法，其特征为以玻璃为基板，以SiO2和TiO2为镀膜材料，采用电子束蒸发，真空度<10^-3pa，温度在<250℃以下的条件下，加以离子辅助沉积，采用反射光的间接控制，水晶监控沉积速率以保持其稳定的沉积速率，沉积速率<8Å/S。