[发明专利]一种双通道滤波器在审
申请号: | 201510455914.1 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN107037518A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 王卫国;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 王卫国 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;G02B1/115 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 425100 湖南省永*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双通道 滤波器 | ||
技术领域
本发明涉及一种光学薄膜技术,具体来说就是一种双通道滤波器的制作方法。
背景技术
随着电子产品在人们生活中的广泛应用,各种新的功能层出不穷,随着智能手机各种功能和特性的不断完善,手机的照相功能很大程度上替代了市场上原来照相机的功能,这在一定程度上使得照相机逐渐退出市场,而手机的照相镜头中,一个重要光学薄膜元件,就是在可见区420~645nm透过,700~1100nm截止。同时,还有一种新型的手势功能,它可以通过镜头识别人的手势达到人机互动的功能,这种功能的要求在波长865nm处有高的透过率,而其它波长截止,这样就提出一种新型的光学薄膜滤波器,能够同时满足两种功能的滤波器,它的具体要求为:可见区域420~645nm透过,近红外区域845~900nm透过,工作角度为0~24度,通带区域的透过率平均>95%,0 度时近红外的通带的中心波长872nm,透过90%的波长为845~900nm;可见区的中心波长为535nm,透过90%的波长为420~645nm,透过50%的波长为650nm,透过率80%~20%的波长<20nm,近红外通带的24 度的中心波长的漂移<23nm,35 度的中心波长的漂移<45nm,700~820nm和925~1050nm透过率峰值<3%,平均值<1%。
发明内容
针对上述技术问题,本发明公开一种双通道滤波器,其制作方法特征是:
①以玻璃为基板,表面的质量优于60/40;
②镀膜材料为SiO2和TiO2;
③膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为38层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm;第二膜系为36层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、 TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、 TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王卫国,未经王卫国许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510455914.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。