[发明专利]一种双通道滤波器在审

专利信息
申请号: 201510455914.1 申请日: 2015-07-30
公开(公告)号: CN107037518A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 王卫国;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 王卫国
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G02B1/115
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 425100 湖南省永*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 双通道 滤波器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种光学薄膜技术,具体来说就是一种双通道滤波器的制作方法。

背景技术

随着电子产品在人们生活中的广泛应用,各种新的功能层出不穷,随着智能手机各种功能和特性的不断完善,手机的照相功能很大程度上替代了市场上原来照相机的功能,这在一定程度上使得照相机逐渐退出市场,而手机的照相镜头中,一个重要光学薄膜元件,就是在可见区420~645nm透过,700~1100nm截止。同时,还有一种新型的手势功能,它可以通过镜头识别人的手势达到人机互动的功能,这种功能的要求在波长865nm处有高的透过率,而其它波长截止,这样就提出一种新型的光学薄膜滤波器,能够同时满足两种功能的滤波器,它的具体要求为:可见区域420~645nm透过,近红外区域845~900nm透过,工作角度为0~24度,通带区域的透过率平均>95%,0 度时近红外的通带的中心波长872nm,透过90%的波长为845~900nm;可见区的中心波长为535nm,透过90%的波长为420~645nm,透过50%的波长为650nm,透过率80%~20%的波长<20nm,近红外通带的24 度的中心波长的漂移<23nm,35 度的中心波长的漂移<45nm,700~820nm和925~1050nm透过率峰值<3%,平均值<1%。

发明内容

针对上述技术问题,本发明公开一种双通道滤波器,其制作方法特征是:

①以玻璃为基板,表面的质量优于60/40;

②镀膜材料为SiO2和TiO2

③膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为38层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm;第二膜系为36层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、 TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、 TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。

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