[发明专利]栅极区域的光学临近修正验证方法

说明书

本发明提供了一种栅极区域的光学临近修正验证方法，包括：模拟OPC图形，并根据目标图形选择栅极图形；将栅极图形与有源区图形重合的边确定为栅极源区重合边；计算模拟图形的弧线终点离栅极源区重合边的距离，作为栅极区域拐角圆化距离；根据栅极区域拐角圆化距离，确定栅极图形OPC验证区域的第一OPC验证区域；利用第一OPC验证方法验证第一OPC验证区域，以获取第一验证结果；将栅极图形OPC验证区域中的除了第一OPC验证区域之外的其它区域确定为第二OPC验证区域；利用第二OPC验证方法验证第二OPC验证区域，以获取第二验证结果；将第一验证结果和第二验证结果合并以输出最终结果。

技术领域

本发明涉及微电子版图数据光学验证领域，更具体地说，本发明涉及一种栅极区域的光学临近修正验证方法。

背景技术

在半导体制造掩模板出版过程中，OPC(Optical Proximity Correction，光学临近修正)技术已经广泛的得到应用。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，通过OPC模型的模拟计算得到微影工艺潜在的成像误差，从而对目标图形进行预先修正以补偿光学临近效应造成的图形失真或变形。随着技术节点的往前推进半导体制造的特征尺寸不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须达到工艺的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC验证已经成为标准的一个步骤，其基本原理是通过对掩模板图形(也即OPC修正后的图形)进行全局模拟并检查模拟结果是否符合标准，以此判断OPC修正是否合理。

OPC修正后模拟检查(即OPC验证)一般可分为两类，一是模拟OPC修正后版图并检查模拟轮廓的绝对尺寸，查看模拟结果是否存在小于规定尺寸或规格的图形点。这种检查方法能快速的探测到OPC修正是否会造成工艺弱点并且一般很少有错误误报或多报。但是，如果原始版图或者目标版图存在问题，或者软件存在漏洞导致OPC修正错误时(比如图形额外增加或消失)，有可能会导致一些错误漏报。

第二种方法是比较模拟结果和目标版图尺寸的相对偏差，当模拟尺寸和目标尺寸的偏差(或比例)超过限定值时即将该图形点报错用以检查。这类方法能够避免第一类方法涉及的很多漏报问题，但是受到一些光刻物理极限的影响等，经常存在一些错误误报或者多报，当错误误报过多时会影响检查的效率。

多晶硅层作为影响产品性能最为关键的层次，对最终硅片上尺寸的精度要求也相对较高，尤其对于栅极(Gate，也称为闸级)区域，CD(关键尺寸)的控制也更为严格，为了确保OPC的精度达到要求，除了常规的OPC验证，比如图形桥接(bridge)和图形线变窄(pinch)等，通常对栅极进行单独的OPC验证，确保在栅极区域的模拟尺寸与目标尺寸一致，对栅极的OPC验证一般采用检查相对偏差的方法，即比较模拟尺寸和目标尺寸的偏差或者检查模拟尺寸和目标尺寸比值，受到图形拐角圆化效应的影响，在栅极OPC验证中存在较多的误报，如图1所示，从模拟图形看，在栅极区域靠近拐角的部分存在图形圆化现象，显然模拟图形与目标图形偏差较大，在实际应用中，一般从目标图形的拐角开始形成一定的OPC验证免检区域，以避免这类OPC验证误报的问题，然而如果在OPC修正弱点如果发生在免检区域，就会导致真正的OPC缺陷遗漏，如图2所示。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种栅极区域的光学临近修正验证方法，能够根据栅极图形区域拐角圆化距离，把栅极划分为两个OPC验证区域，分别采用不同规格去进行OPC验证，即可以避免栅极区域采用常规OPC验证方法可能存在OPC缺陷遗漏的问题，同时也可以避免误报。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种栅极区域的光学临近修正验证方法，包括：

第一步骤：模拟OPC图形，并根据目标图形选择栅极图形；

第二步骤：将栅极图形与有源区图形重合的边确定为栅极源区重合边；

第三步骤：计算模拟图形的弧线终点离栅极源区重合边的距离，作为栅极区域拐角圆化距离；