[发明专利]检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，采用多晶硅氧化后锗硅外延法或者第二氮化硅间隔区后锗硅外延法在半导体硅衬底上生长锗硅外延层；

所述多晶硅氧化后锗硅外延法是指在多晶硅氧化和氮化硅间隔区淀积后的U型锗硅外延工艺；所述第二氮化硅间隔区后锗硅外延法是指在多晶硅氧化以及第一、第二氮化硅间隔区淀积后的Σ型锗硅外延工艺；

步骤2，以所述锗硅外延层为硬掩模，使用缺陷腐蚀剂腐蚀所述锗硅外延层，缺失缺陷部位的半导体硅衬底上会形成孔洞；

步骤3，采用光学显微镜扫描所述锗硅外延层，并利用锗硅外延层与半导体硅衬底反射率的不同来评估锗硅外延层的生长质量并确定缺失缺陷部位的存在；

步骤4，用扫描电镜精确控制聚焦离子束来制备含有缺失缺陷部位的样品并通过透射电镜精确检测样品中缺失缺陷部位的位置。

2.根据权利要求1所述的检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，所述锗硅外延层的厚度为100-1000埃。

3.根据权利要求1所述的检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，步骤2中：采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺刻蚀锗硅外延层。

4.根据权利要求3所述的检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，步骤2采用干法刻蚀工艺时，具体采用HBr与O2的混合气体作为缺陷刻蚀剂，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀锗硅外延层。

5.根据权利要求3所述的检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中，采用浓度为2.38％～25％的四甲基氢氧化铵水溶液或者采用硝酸、氢氟酸与水的混合溶液作为缺陷刻蚀剂。

6.根据权利要求1所述的检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，步骤2中，腐蚀锗硅外延层的温度为室温25℃，刻蚀时间为60-300秒。

7.根据权利要求1所述的检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，所述孔洞的形状为椭圆形、圆形、矩形、三角形、梯形、Σ型或U型。