[发明专利]高电阻率碳化硅有效
| 申请号： | 201510458322.5 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105000888B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | A·G·黑尔;E·A·佩里 | 申请（专利权）人： | 阔斯泰公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 高电阻率 再结晶 氮原子 电阻率 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶式再结晶的碳化硅本体，该本体包括：
不小于1E5Ωcm的电阻率；
结合在该本体之中的氮原子的一个氮含量，其中该氮含量是不大于75ppm；
其中该多晶式再结晶的碳化硅本体通过在不大于25托的压力下进行的升华再结晶方法形成，该本体具有第一密度；以及
覆盖在该本体的至少一部分上的表面部分，
其中该表面部分包括碳化硅，该表面部分具有第二密度，其中该第二密度大于该第一密度。
2.如权利要求1中所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该表面部分具有不小于10微米的平均厚度。
3.如权利要求1-2中任一权利要求所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该表面部分是使用沉积方法形成的。
4.如权利要求1-2中任一权利要求所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该电阻率是不小于1E6Ωcm。
5.如权利要求1-2中任一权利要求所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该本体是包括具有不小于0.5微米的平均晶粒尺寸的晶粒的多晶体。
6.如权利要求1-2中任一权利要求所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该本体包括不小于5vol％的孔隙率。
7.如权利要求1-2中任一权利要求所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该本体包括不大于2.9g/cc的密度。
8.如权利要求1-2中任一权利要求所述的多晶式再结晶的碳化硅本体，其中该表面部分包括不大于5vol％的孔隙率。
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