[发明专利]高电阻率碳化硅

说明书

本发明涉及高电阻率碳化硅。在此提供了一种再结晶的碳化硅本体，该再结晶的碳化硅本体具有不小于约1E5Ω cm的电阻率以及包括结合在该本体之中的氮原子的氮含量，其中该氮含量是不大于约200ppm。

本申请是申请日为2008年10月29日，申请号为200880119846.X，发明名称为“高电阻率碳化硅”的申请的分案申请。

技术领域

本披露总体上是针对碳化硅本体，并且具体是针对具有高电阻率的再结晶的碳化硅本体。

背景技术

半导体器件工业在生产更小的器件的需求的驱使下，特别是在每个晶片上生产更多器件的需求的驱使下，在以加快的步伐继续向前发展。这已经导致了在更大晶片上生产的更小器件的继续发展，这自然允许每个晶片上的更大数目的器件以及因此增加的产量。除了向在更大晶片上加工器件前进之外，一些企业正在离开成批加工而朝向单晶片加工(SWP)技术。许多制造商已经发现，从成批加工到单晶片加工的改变使得能够改进在每片晶片上制造的器件的控制。此外，从成批加工到SWP的改变值得注意地减少了晶片至晶片的变化。因此，因为在形成现有技术的器件所要求的纳米尺寸的层时加工控制是必不可少的，所以SWP使得制造商们能够改进他们的生产。因此，因为一次只加工一个晶片，该方法的可拓展性在成批加工平台上得到改进并且因此在加工增大尺寸的晶片中允许制造商们有更大的灵活性。

这些平台的供应商们正在不断地寻找将改进SWP平台的能力的部件。因此，此类部件将会改进物理和化学特性，连同耐久性以及与其他部件和被加工的晶片的相容性。这样，工业界，并且特别是SWP工业，继续要求用于结合进入SWP平台中的改进的部件和材料。

发明内容

本发明涉及一种通过升华再结晶方法形成的多晶式再结晶的碳化硅本体，该本体包括不小于约1E5Ωcm的电阻率；结合在该本体之中的氮原子的一个氮含量，其中该氮含量是不大于约75ppm；以及覆盖在该本体的至少一部分上的一个表面部分，其中该表面部分包括碳化硅。

本发明涉及一种通过升华再结晶方法形成的多晶式再结晶的碳化硅本体，该本体包括不小于约1e5Ωcm的电阻率；结合在该本体之中的氮原子的一个氮含量，其中该氮含量是不大于约75ppm；以及覆盖在该本体的至少一部分上的一个表面部分，其中该表面部分具有不小于10微米的平均厚度。

本发明还涉及一种通过升华再结晶方法形成的多晶式再结晶的碳化硅本体，该本体包括不小于约1e5Ωcm的电阻率；结合在该本体之中的氮原子的一个氮含量，其中该氮含量是不大于约75ppm；以及覆盖在该本体的至少一部分上的一个表面部分，其中该表面部分是使用沉积方法形成的。

附图说明

通过参见附图可以更好地理解本披露，并且使其许多特征和优点对于本领域技术人员变得清楚。

图1是一个流程图，它展示了根据一个实施方案用于形成一种再结晶的碳化硅本体的方法。

图2是一个流程图，它展示了根据一个实施方案用于形成一种再结晶的碳化硅本体的方法。

在不同的图中使用相同的参考符号表示相似的或相同的事项。

具体实施方式

参见图1，它展示的流程图提供了根据一个实施方案用于形成一种再结晶的碳化硅本体的方法。该方法开始于步骤101，这是通过使粗碳化硅颗粒与细碳化硅颗粒相结合以形成一种混合物。典型地，这些粗和细碳化硅颗粒是以一种干燥的形式(如一种粉末)相结合以形成一种干混合物。然而，如将在此说明的，这种干混合物可以被制成一种湿混合物，如一种浆料。形成具有一种双峰粒度分布或甚至三峰粒度分布的一种混合物有助于通过一种再结晶方法形成一种碳化硅本体。