[发明专利]包含多个器件类型的集成电路管芯在审
| 申请号： | 201510458953.7 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN105206574A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | R·阿尔加瓦尼;L·希弗伦;P·拉纳德;S·E·汤普森;C·德维尔纳夫 | 申请（专利权）人： | 三重富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;郑特强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 器件 类型 集成电路 管芯 | ||
1.一种包含多个器件类型的集成电路管芯，包括：
多个掺杂阱，其中至少一些掺杂阱被二次掺杂以形成用于第一器件类型的屏蔽层，至少一些掺杂阱支持第二器件类型；
阈值电压调节层，位于所述第一器件类型的所述屏蔽层上，被掺杂以提供阈值电压设置凹槽；
第一沟道层，位于所述第一器件类型的阈值电压调节层上；
第二沟道层，位于第二器件类型的掺杂阱上；以及
多个栅极堆叠体，位于所述第一沟道层和所述第二沟道层上，其中至少一些栅极堆叠体具有第一成分，而其他栅极堆叠体具有第二成分。
2.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，所述阈值电压调节层被掺杂以形成具有反向凹槽的阈值电压设置凹槽。
3.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，所述阈值电压调节层被掺杂以形成具有浅凹槽的阈值电压设置凹槽。
4.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，所述阈值电压调节层被掺杂以形成具有多个凹槽的阈值电压设置凹槽。
5.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，外延生长的阈值电压调节层被掺杂以形成具有多个反向凹槽的阈值电压设置凹槽。
6.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，所述第一沟道层、所述阈值电压调节层以及所述屏蔽层被掺杂以形成深耗尽沟道(CDDC)器件。
7.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，所述第一沟道层和所述第二沟道层基本上未掺杂。
8.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中，具有第一成分和第二成分的栅极堆叠体都包括金属。
9.根据权利要求1所述的集成电路管芯，还包括：浅阱，形成在所述多个掺杂阱中的至少一个掺杂阱中。
10.根据权利要求1所述的集成电路管芯，还包括：
体分接头，耦接至所述多个掺杂阱中的至少一个掺杂阱，所述体分接头是可操作的以选择性地由此施加偏压来调节阈值电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三重富士通半导体股份有限公司，未经三重富士通半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510458953.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：束管多路气体采样泵
- 下一篇：煤矿井下定点取样装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
